[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置在审
申请号: | 202011624879.9 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112750733A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 柯雨馨;梁兴芳;戴亮亮;许奕川 | 申请(专利权)人: | 阳光中科(福建)能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 362300 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 氧化 致密 生产 装置 | ||
本发明提供一种钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置。所述钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置包括箱式炉和支架,所述箱式炉的右侧为开口,所述支架固定安装在所述箱式炉的右侧,所述支架和所述箱式炉的开口相适配;密封罩,所述密封罩设置在所述支架内,所述密封罩的左侧为开口;密封板,所述密封板固定安装在所述密封罩的右侧内壁上,所述密封板和所述箱式炉的开口相适配;放置板,所述放置板固定安装在所述密封板的左侧,所述放置板的左侧延伸至所述密封罩外;容器,所述容器设置在所述放置板的顶部。本发明提供的钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置具有方便放置容器、能够保证容器密封性、使用较为安全的优点。
技术领域
本发明涉及钙钛矿太阳能电池生产技术领域,尤其涉及一种钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置。
背景技术
钙钛矿太阳能电池(PSC)是近年来新型太阳能电池开发的重要研究成果,与现有的其他第三代太阳能电池技术相比,它具有结构简单、制备成本低,以及优异的双极性载流子输运能力等多方面的优势,已经引起科学家们的广泛关注。现今对钙钛矿太阳电池研究的热点,主要集中在作为光子收集材料的CH3NH3PbI3(MAPbI3)及类似有机卤化物的合成、改性以及结晶成膜性研究,作为传统光阳极材料的TiO2(二氧化钛),在这种新型电池中依然得到了广泛应用,二氧化钛在电池中起到抑制发生在FTO导电玻璃界面的电子复合、提供电子传输通道的重要作用,常规的平面异质结钙钛矿太阳能电池,其主要有ITO或FTO电极,电子传输层(二氧化钛、氧化锡、氧化锌),钙钛矿吸光层,空穴传输层,金属电极(金、银、铝)组成,然而在钙钛矿太阳能电池的制备中钙钛矿吸光层和空穴传输层等都可以在相对较低的温度(低于150℃)下制备成,但电子传输层(以二氧化钛为例)的制备普遍高于300℃,较好的电子传输层材料二氧化钛要在高于500℃条件下才能制备成,这就没法开发大面积柔性(如PET为基底要温度低于150℃)钙钛矿太阳能电池,伴随着科技的进步和人们不间断的探索,目前在电子传输层的制备中:在空气中,阴极上面旋涂30~75nm的氧化物前驱体溶液,然后将其放在含有1-50mL溶剂的密闭容器中,将密闭容器置于温度为120~180℃的箱式炉中8~16h即可制备成电子传输层。
然而人们在制备时由于需要使用到箱式炉进行长时间的加热,其在放置盛放有钙钛矿太阳能电池电子传输层的密封容器时需要人们手持夹具将其放入至箱式炉中,由于箱式炉内温度较高,不但较为危险,同时由于灼伤感容易导致容器掉落,造成不必要的损失,且在长时间的加热中仅仅依靠容器自身的密封性并不可靠,在容器加热后内部溶剂蒸发,容器内容易产生较大的气压,此时容器容易泄露。
因此,有必要提供一种新的钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置解决上述技术问题。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种具有方便放置容器、能够保证容器密封性、使用较为安全的钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置。
为解决上述技术问题,本发明提供的钙钛矿太阳能电池二氧化钛致密层生产装置包括:箱式炉和支架,所述箱式炉的右侧为开口,所述支架固定安装在所述箱式炉的右侧,所述支架和所述箱式炉的开口相适配;密封罩,所述密封罩设置在所述支架内,所述密封罩的左侧为开口;密封板,所述密封板固定安装在所述密封罩的右侧内壁上,所述密封板和所述箱式炉的开口相适配;放置板,所述放置板固定安装在所述密封板的左侧,所述放置板的左侧延伸至所述密封罩外;容器,所述容器设置在所述放置板的顶部;密封盖,所述密封盖设置在所述容器的顶部;压片,所述压片设置在所述密封盖的顶部;压杆,所述压杆固定安装在所述压片的顶部,所述压杆的右端延伸至所述密封罩内;调节机构,所述调节机构设置在所述密封板上;传动机构,所述传动机构设置在所述支架上;密封机构,所述密封机构设置在所述箱式炉上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造