[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在第一生长温度下，对所述衬底进行高温处理；

对所述衬底不进行降温处理，且在所述第一生长温度下在所述衬底上生长缓冲层；

在第二生长温度下，在所述缓冲层远离所述衬底的一侧生长第一半导体层；

在第三生长温度下，在所述第一半导体层远离所述缓冲层的一侧生长有源发光层；

在所述有源发光层远离所述第一半导体层的一侧生长电子阻挡层；

在所述电子阻挡层远离所述有源发光层的一侧生长第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一生长温度为520～3000℃；

所述第二生长温度为1000～3200℃；

所述第三生长温度为700～900℃。

3.一种基于权利要求1～2任一项所述的方法制造的发光二极管，其特征在于，至少包括：

衬底；

缓冲层，设置在所述衬底的一侧；

发光外延层，包括依次层叠设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的第一半导体层、有源发光层、电子阻挡层以及第二半导体层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

所述缓冲层的材料为GaN、AlN、AlGaN中的至少一种；

所述缓冲层的厚度为10～50nm。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括依次层叠设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的非故意掺杂GaN层和n型GaN层；

所述第一半导体层的厚度为1.5～4.5μm。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述n型GaN层中Si的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3～3×10¹⁹cm^-3。

7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述有源发光层为InGaN/GaN超晶格量子阱，其中，InGaN势阱层的厚度为1.0～5.0nm，GaN势垒层的厚度为1.0～35.0nm。

8.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层为p型AlGaN层，所述p型AlGaN层的厚度为30～80nm。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，

所述p型AlGaN层中Mg的掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3～3.5×10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层包括依次层叠设置于所述电子阻挡层远离所述有源发光层一侧的p型轻掺杂GaN层和p型重掺杂GaN层，所述p型轻掺杂GaN层的厚度为30～350nm，所述p型重掺杂GaN层的厚度为10～50nm。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，

所述p型轻掺杂GaN层中Mg的掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3；

所述p型重掺杂GaN层中Mg的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3～1×10²⁰cm^-3。