[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

说明书

本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：提供一衬底；在第一生长温度下，对衬底进行高温处理；对衬底不进行降温处理，且在第一生长温度下在衬底上生长缓冲层；在第二生长温度下，在缓冲层远离衬底的一侧生长第一半导体层；在第三生长温度下，在第一半导体层远离缓冲层的一侧生长有源发光层；在有源发光层远离第一半导体层的一侧生长电子阻挡层；在电子阻挡层远离有源发光层的一侧生长第二半导体层。通过上述方式，缩短了发光二极管的制造周期，降低了生产成本，提高了生产效率。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。其中，GaN基发光二极管在制造过程中所面临的一个问题是：需要先将衬底置于高温和氢气氛围中清洁净化，然后在衬底上沉积一层缓冲层，缓冲层可以解决衬底材料与氮化镓材料之间的失配问题。

本申请的发明人在长期研发过程中，发现衬底的清洁净化过程需要花很长时间先升至高温，并在高温稳定一段时间后再降温到沉积缓冲层的工作温度，导致发光二极管的制造周期较长。

发明内容

本申请提供一种发光二极管及其制造方法，缩短了发光二极管的制造周期，降低了生产成本，提高了生产效率。

一方面，本申请提供了一种发光二极管的制造方法，该方法包括：提供一衬底；在第一生长温度下，对衬底进行高温处理；对衬底不进行降温处理，且在第一生长温度下在衬底上生长缓冲层；在第二生长温度下，在缓冲层远离衬底的一侧生长第一半导体层；在第三生长温度下，在第一半导体层远离缓冲层的一侧生长有源发光层；在有源发光层远离第一半导体层的一侧生长电子阻挡层；在电子阻挡层远离有源发光层的一侧生长第二半导体层。

另一方面，本申请提供了一种基于前述的方法制造的发光二极管，至少包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底的一侧；发光外延层，包括依次层叠设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的第一半导体层、有源发光层、电子阻挡层以及第二半导体层。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请在相同的第一生长温度下完成衬底的高温处理和缓冲层的生长，且不需要花费较长地时间等待衬底冷却再生长缓冲层，缩短了发光二极管的制造周期，降低了生产成本，提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是根据本申请一实施例的发光二极管的制造方法的流程示意图；

图2是图1所示的流程示意图的各制程阶段的发光二极管的结构示意图；

图3是根据本申请一实施例的发光二极管的结构示意图；

图4是根据本申请另一实施例的发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1和2所示，根据本申请一实施例的发光二极管10的制造方法。

该发光二极管10的制造方法包括以下步骤：

S10：提供一衬底11。