[发明专利]形成光致抗蚀剂图案的方法

说明书

本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。

相关申请

本申请要求2019年12月31日提交的美国临时专利申请号62/956,018的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

背景技术

随着消费者设备已响应于消费者需求而变得越来越小，这些设备的各个组件也已必定在尺寸上减小。组成诸如移动电话、计算机平板等的设备的主要组件的半导体器件已被迫变得越来越小，同时对也要在尺寸上减小的在半导体器件内的各个器件(例如，晶体管、电阻器、电容器等)产生相应的压力。

在半导体器件的制造工艺中使用的一种使能技术是光敏材料的使用。此类材料被施加到表面，然后曝露于本身已被图案化的能量。这样的曝露对光敏材料的曝露区域的化学和物理性质进行改性。可利用这种改性以及光敏材料的未曝露区域中缺少改性来去除一个区域而不去除另一区域。

然而，随着图案间距减小，一些曝露辐射可能由于光散射而泄漏到光致抗蚀剂的未打算曝露的区域中。泄漏的曝露辐射可导致未曝露区域中的光致抗蚀剂降解并引起图案缺陷。随着各个器件的尺寸减小，用于光刻处理的工艺窗口变得越来越收紧。因此，光刻处理的领域中的进步是维持按比例缩小器件的能力所必需的，并且需要进一步改进以便满足所期望的设计准则，使得可以维持向越来越小的组件行进。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下详细描述中最好地理解本公开。应强调，依照行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制并仅用于图示目的。实际上，为了讨论的清楚，可以任意地增加或减小各种特征的尺寸。

图1图示根据本公开的实施方式的工艺流程。

图2A、图2B、图2C和图2D示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图3A和图3B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图4示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图5A和图5B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图6A和图6B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图7A和图7B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图8A和图8B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图9A和图9B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图10示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图11A和图11B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图12示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图13A和图13B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

图14A和图14B示出根据本公开的一个实施方式的顺序操作的工艺阶段。

具体实施方式