[发明专利]一种新型E-Band波导双工器

权利要求书

1.一种新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，所述新型E-Band波导双工器内部腔体包括7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)和ANT天线口(1)；

其中，7个所述RX低频段波导单腔(2)位于所述ANT天线口(1)的一侧；

所述7个TX高频段波导单腔位(3)于所述ANT天线口(1)的另一侧。

2.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，7个所述RX低频段波导单腔(2)中的一个为感性耦合腔(21)；

7个所述RX低频段波导单腔(2)与所述ANT天线口(1)的位置由近及远的排列为：三个所述RX低频段波导单腔(2)、感性耦合腔(21)、两个所述RX低频段波导单腔(2)；

三个所述RX低频段波导单腔(2)紧邻所述ANT天线口(1)的一侧。

3.如权利要求2所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

还包括RX低频段匹配腔(22)；

所述RX低频段匹配腔(22)紧邻两个所述RX低频段波导单腔(2)的另一侧。

4.如权利要求3所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

还包括低频时延耦合腔(23)；

所述低频时延耦合腔(23)紧邻所述RX低频段匹配腔(22)的另一侧；

所述低频时延耦合腔(23)的端口为RX接收端口。

5.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，7个所述TX高频段波导单腔(3)中的一个为容性耦合腔(31)；

7个所述TX高频段波导单腔(3)与所述ANT天线口(1)的位置由近及远的排列为：三个所述TX高频段波导单腔(3)、容性耦合腔(31)、两个所述TX高频段波导单腔(3)；

三个所述TX高频段波导单腔(3)紧邻所述ANT天线口(1)的另一侧。

6.如权利要求5所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，还包括TX高频段匹配腔(32)；

所述TX高频段匹配腔(32)紧邻两个所述TX高频段波导单腔(3)的另一侧。

7.如权利要求6中所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

还包括高频时延耦合腔(33)；

所述高频时延耦合腔(33)紧邻所述TX高频段匹配腔(32)的另一侧；

所述高频时延耦合腔(33)的端口为TX发射端口。

8.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)采用2次模腔。

9.如权利要求1所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

其中，所述ANT天线口(1)旋转45度。

10.如权利要求1至9中任意一项所述的新型E-Band波导双工器，其特征在于：

包括两个壳体(4)，所述7个RX低频段波导单腔(2)、7个TX高频段波导单腔(3)和ANT天线口(1)在两个壳体(4)内加工而成。