[发明专利]一种新型E-Band波导双工器在审

专利信息
申请号: 202011627973.X 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112787057A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 顾春健;杨婷婷;王欣丰;周奇;张红涛 申请(专利权)人: 上海阖煦微波技术有限公司
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208;H01P5/00
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 黄佳丽
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 band 波导 双工器
【说明书】:

发明提供一种新型E‑Band波导双工器内部腔体包括:7个RX低频段波导单腔、7个TX高频段波导单腔和ANT天线口;7个RX低频段波导单腔位于ANT天线口的一侧;7个TX高频段波导单腔位于ANT天线口的另一侧。其优点在于装配操作一致性好,插入损耗低,隔离高,成本低等优点;可在很多领域具有巨大的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种E-Band波导双工器,属于通信设备技术领域。

背景技术

从实际的测试情况来看,E-BAND微波可以稳定的工作在2-3km的传输距离范围内。相对于传统频段,E-BAND频率资源丰富,支持比传统频段更大的带宽,单频电带宽达到了2.5Gbps,可同时轻松承载基站/Wi-Fi,大客户,宽带等多种业务。

E-BAND微波非常适合大宽带传输应用场景,满足LTE对回传网络带宽需求。在城市密集地区,单基站带宽需求达900Mbps以上,在1-3Km短距场景下,E-BAND微波拥有丰富的频谱资源,可以用来解决传统微波频段资源紧张,传输带宽小的问题,作为末端LTE基站业务接入,解决部分新建站址光纤缺失的问题,实现LTE基站快速部署。

但传统的E-BAND微波的本征模Q值不高,插入损耗高,加工难度大,成本高等缺陷。

发明内容

本发明的提供的一种新型E-Band波导双工器,装配操作一致性好,插入损耗低,隔离高,成本低等优点;可在很多领域具有巨大的应用前景;以克服现有技术的缺陷。

本发明提供一种新型E-Band波导双工器内部腔体包括:7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3和ANT天线口1;7个RX低频段波导单腔2位于ANT天线口1的一侧;7个TX高频段波导单腔位3于ANT天线口1的另一侧。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:其中,7个RX低频段波导单腔2中的一个为感性耦合腔21;7个RX低频段波导单腔2与ANT天线口1的位置由近及远的排列为:三个RX低频段波导单腔2、感性耦合腔21、两个RX低频段波导单腔2;三个RX低频段波导单腔2紧邻ANT天线口1的一侧。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:还包括RX低频段匹配腔22;RX低频段匹配腔22紧邻两个RX低频段波导单腔2的另一侧。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:还包括低频时延耦合腔23;低频时延耦合腔23紧邻RX低频段匹配腔22的另一侧;低频时延耦合腔23的端口为RX接收端口。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:7个TX高频段波导单腔3中的一个为容性耦合腔31;7个TX高频段波导单腔3与ANT天线口1的位置由近及远的排列为:三个TX高频段波导单腔3、容性耦合腔31、两个TX高频段波导单腔3;三个TX高频段波导单腔3紧邻ANT天线口1的另一侧。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:还包括TX高频段匹配腔32;TX高频段匹配腔32紧邻两个TX高频段波导单腔3的另一侧。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:还包括高频时延耦合腔33;高频时延耦合腔33紧邻TX高频段匹配腔32的另一侧;高频时延耦合腔33的端口为TX发射端口。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:7个RX低频段波导单腔2、7个TX高频段波导单腔3采用2次模腔。

进一步,本发明提供一种新型E-Band波导双工器,还可以具有这样的特征:ANT天线口1旋转45度。

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