[发明专利]透明电极在审
| 申请号： | 202011628203.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113161503A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 段羽;周伊斌;王锦涛;陈啸天;陈平 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 电极 | ||
1.一种透明电极，其特征在于，包括依次设置层叠的ZnO薄膜层、Ca薄膜层、Al2O3薄膜层。
2.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述ZnO薄膜层用于将有机物与所述Ca薄膜层隔离开，Ca薄膜层用于匹配电子传输层的功函数，所述Al2O3薄膜层用于Ca薄膜层。
3.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述ZnO薄膜层远离所述Al2O3薄膜层的一面设有有机层。
4.根据权利要求1所述的透明电极，其特征在于，所述ZnO薄膜层的厚度为5nm为15nm之间，所述Ca薄膜层的厚度为12nm至20nm，所述Al2O3薄膜层的厚度为10nm至15nm。
5.根据权利要4所述的透明电极，其特征在于，所述ZnO薄膜层的厚度为7nm、所述Ca薄膜层的厚度为14nm、所述Al2O3薄膜层为20nm。
6.一种权利要求1至权利要求5任一项所述的电极的加工方式，其特征在于，包括：
所述ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层分别通过原子层沉积方式制得，设置舱体加热平台温度为60度，气体注入口温度120度，供气管温度120度，废气温度120度，排气管温度为120度。
7.根据权利要求6所述的电极的加工方式，其特征在于，所述Al2O3薄膜层的前驱体为三甲基铝。
8.一种发光器件，其特征在于，包括权利要求1至权利要求5任一项所述的电极，在所述电极下方依次设置的发光层、铟锡氧化物、基底。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述发光层为绿色发光层。
10.一种叠加型发光器件，其特征在于，包括依次设置的第一电极、黄色发黄层、第一铟锡氧化物、第一基底、第二电极、蓝色发光层、第二铟锡氧化物、第二基底；
所述第一电极和第二电极为权利要求1至权利要求5任一项所述的电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
