[发明专利]透明电极在审
申请号: | 202011628203.7 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN113161503A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 段羽;周伊斌;王锦涛;陈啸天;陈平 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
地址: | 130012 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 | ||
本发明公开了一种透明电极,分别由三层薄膜叠加组成,分别为氧化锌(ZnO)‑钙(Ca)‑氧化铝(Al2O3),该电极不同薄膜层的结合达到了红外光和可见光全波段都有高且相对均等的光学透过率的结果,为目前的器件由于透过率不平衡造成的色偏现象提供了解决方法,可广泛应用于多色发光,彩色发光,白光发光灯等方面,并能避免为了解决透过率不均衡导致的色偏现象的问题。
技术领域
本发明属于电极技术领域,尤其涉及一种透明电极。
背景技术
透明电极是发光二极管,太阳能电池等产品中不可缺少的一部分。随着薄膜型光电子器件的不断发展,对于在宽光谱范围内维持高透过率的透明电极的技术要求也越来越高。目前的氧化物在可见光的透过率比较高,但是在磁控溅射的时候容易对有机层造成损坏。石墨烯和银纳米线的透过率高,且能做成柔性电极,但在溶液加工过程中容易对有机层造成损坏,也由于是湿法制备,所以不能直接在器件上生长。而使用叠层电极复合电极结构既可以有高透过率,又能够使用干式制备的蒸镀方法在器件上直接生长,这也是未来有机发光二极管电极主流方向之一。
底发射器件由于会受薄膜晶体管的影响,从底发射器件中发出的光只能部分地从驱动面板上设置的开口处射出,一大部分发光都被浪费,开口率较低。顶电极的光从器件顶部射出,不受薄膜晶体管的影响,因此能有效提高开口率,理论上能达到100%。而干法制备的顶电极透过率大多都不平,有透过率曲线较大的起伏,这会造成一定的色偏。虽然能通过调节亮度来调节色偏现象,但是这会导致绿色的有机发光二极管效率低,且随着像素逐渐升高,分辨率就会变低。
红外光不可见光区域的优良抗干扰特性,使其在传感和信息检测方面具有独特的优势,在医学检测,疾病监测和军事应用方面有着重要作用,但是目前大多数器件的红外光透过率低,或者红外区域透过率波动较大。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种可见-近红外光全波段的电极,具体为:
一种透明电极,包括依次设置的ZnO薄膜层、Ca薄膜层、Al2O3薄膜层,所述ZnO薄膜层用于将有机物与所述Ca薄膜层隔离开,Ca薄膜层用于匹配电子传输层的功函数,所述Al2O3薄膜层用于Ca薄膜层。
优选的,所述ZnO薄膜层上面还设置有机层。
优选的,所述ZnO薄膜层的厚度为5nm为15nm之间,所述Ca薄膜层的厚度为12nm至20nm,所述Al2O3薄膜层的厚度为10nm至15nm。
优选的,所述ZnO薄膜层的厚度为7nm、所述Ca薄膜层的厚度为14nm、所述Al2O3薄膜层为20nm。
一种上述电极的加工方式,包括:
所述ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层分别通过原子层沉积方式制得,设置舱体加热平台温度为60度,气体注入口温度120度,供气管温度120度,废气温度120度,排气管温度为120度。
优选的,所述Al2O3薄膜层的前驱体为三甲基铝。
一种发光器件,包括上述的电极、在所述电极下方依次设置的发光层、铟锡氧化物、基底。
优选的,所述发光层为绿色发光层。
一种叠加型发光器件,包括依次设置的第一电极、黄色发黄层、第一铟锡氧化物、第一基底、第二电极、蓝色发光层、第二铟锡氧化物、第二基底;
所述第一电极和第二电极为权利要求1至权利要求4任一项所述的电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学,未经吉林大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011628203.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种线路保护装置
- 下一篇:一种高地应力下的高温隧道支护结构的施工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择