[发明专利]发光二极管芯片的激光切割方法及装置有效
申请号: | 202011628605.7 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112828451B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 汪洋;周武;向光胜;马玮辰;徐可;尚修仲;刘璐珉 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B23K26/042;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 激光 切割 方法 装置 | ||
本公开提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置,属于发光二极管切割技术领域。所述方法包括:获取激光聚焦后光斑的拍摄图像;基于所述光斑的拍摄图像,确定所述激光的能量输出是否稳定;当所述激光的能量输出稳定时,控制所述激光切割待切割的发光二极管芯片。本公开能够保证发光二极管芯片切割后正面、背面、侧面线条的一致性。
技术领域
本公开涉及发光二极管切割技术领域,特别涉及一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置。
背景技术
Mini(迷你)LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片能够直接应用到产品终端器件上。以应用在直下式背光源为例,由于是背面出光,对Mini LED芯片的光型的要求上下左右差异收严,为此,提高了芯片的正面、背面和侧面线条的一致性要求。
相关技术中,采用的是传统芯片(较大尺寸芯片)的激光切割方式来切割Mini LED芯片。该激光切割方式只注重芯片正面切割直线度,侧面和背面切割直线度未作要求,光路在设计时注重点面只有正面,光路的调试较为简单。切割得到的芯片的正面、背面和侧面三面立体外观的一致性是依靠人工间隔一定周期进行监控。
依据人的经验来监控,判断依据经验随机性较大,难以达到三面立体外观一致性的要求;同时人力成本支出较大,增加了生产开销。
发明内容
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法及装置,能够保证发光二极管芯片切割后正面、背面、侧面线条的一致性。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种发光二极管芯片的激光切割方法,所述激光切割方法包括:
获取激光聚焦后光斑的拍摄图像;
基于所述光斑的拍摄图像,确定所述激光的能量输出是否稳定;
当所述激光的能量输出稳定时,控制所述激光切割待切割的发光二极管芯片。
可选地,所述基于所述光斑的拍摄图像,确定所述激光的能量输出是否稳定,包括:
确定所述光斑的拍摄图像中光斑区域的边缘轮廓、光斑区域的中心区域的亮度以及除光斑区域之外的图像区域的灰阶;
获取标准边缘轮廓、标准亮度以及标准灰阶;
基于所述光斑的拍摄图像中光斑区域的边缘轮廓、光斑区域的中心区域的亮度、除光斑区域之外的图像区域的灰阶、标准边缘轮廓、标准亮度以及标准灰阶,确定所述激光的能量输出稳定。
可选地,所述基于所述光斑的拍摄图像中光斑区域的边缘轮廓、光斑区域的中心区域的亮度、除光斑区域之外的图像区域的灰阶、标准边缘轮廓、标准亮度以及标准灰阶,确定所述激光的能量输出稳定,包括:
若所述光斑的拍摄图像中光斑区域的边缘轮廓与所述标准边缘轮廓相同、所述光斑区域的中心区域的亮度与所述标准亮度相同以及所述除光斑区域之外的图像区域的灰阶与所述标准灰阶相同,则确定所述激光的能量输出稳定;
若所述光斑的拍摄图像中光斑区域的边缘轮廓与所述标准边缘轮廓不同、所述光斑区域的中心区域的亮度与所述标准亮度不同或者所述除光斑区域之外的图像区域的灰阶与所述标准灰阶不同,则确定所述激光的能量输出不稳定。
可选地,在所述获取激光聚焦后光斑的拍摄图像之前,所述激光切割方法还包括:
获取激光聚焦后光斑的能量分布测量数据;
基于所述光斑的能量分布测量数据,确定所述激光的能量分布是否正常;
相应地,所述获取激光聚焦后光斑的拍摄图像,包括:
当所述激光的能量分布正常时,获取激光聚焦后光斑的拍摄图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造