[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011628981.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112750808A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王国军;曹立强;严阳阳 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L23/488;H01L23/538;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
第一互联结构层；
第一芯片层，所述第一芯片层位于所述第一互联结构层一侧表面，所述第一芯片层包括多个第一芯片，所述第一芯片层中的第一芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接；
第二芯片层，所述第二芯片层位于所述第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面，所述第二芯片层包括多个第二芯片，所述第二芯片层中的第二芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一芯片层中的两个或更多第一芯片通过所述第一互联结构层电性连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第二芯片层中的两个或更多第二芯片通过所述第一互联结构层电性连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一芯片层中的多个第一芯片的数量与所述第二芯片层中的多个第二芯片的数量相同，所述第一芯片层中的各第一芯片与所述第二芯片层中的各第二芯片关于所述第一互联结构层镜像设置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一芯片层还包括位于第一互联结构层一侧表面的塑封层，所述塑封层包覆所述第一芯片层中的各第一芯片，所述塑封层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第一芯片层中的各第二芯片的背面平齐。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第二芯片层还包括位于第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面的第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层包覆所述第二芯片层中的各第二芯片，所述第二绝缘介质层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第二芯片层中的各第二芯片的背面平齐；
优选的，所述第二绝缘介质层为硅介质层。
7.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第一芯片层还包括：贯通所述塑封层的多个导电柱，每一导电柱一端与所述第一互联结构层电性连接，另一端的表面与所述塑封层背离所述第一互联结构层一侧的表面平齐；
所述半导体封装结构还包括第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层位于所述第一芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，
所述第二芯片层还包括：贯通所述第二绝缘介质层的多个导电柱，每一导电柱一端与所述第一互联结构层电性连接，另一端的表面与所述第二绝缘介质层背离所述第一互联结构层一侧的表面平齐；
所述半导体封装结构还包括第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层位于所述第二芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接。
9.一种半导体封装结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成第一互联结构层；
形成第一芯片层，所述第一芯片层形成于所述第一互联结构层一侧表面，所述第一芯片层包括多个第一芯片，所述第一芯片层中的第一芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接；
形成第二芯片层，所述第二芯片层形成于所述第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面，所述第二芯片层包括多个第二芯片，所述第二芯片层中的芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构制造方法，其特征在于，
所述形成第一芯片层的步骤包括：
将多个第一芯片贴装于第一互联结构层一侧表面；
形成塑封层，所述塑封层形成于贴装有第一芯片的一侧表面，所述塑封层包覆所述第一芯片层中的各第一芯片；减薄所述塑封层，至所述塑封层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第一芯片层中的各第一芯片的背面平齐；
所述形成第二芯片层的步骤包括：
形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层位于第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面；将多个第二芯片埋入所述第二绝缘介质层中，并填平所述多个第二芯片与所述第二绝缘介质层之间的间隙；减薄所述第二绝缘介质层，直至所述第二绝缘介质层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第二芯片层中的各第二芯片的背面平齐；
所述半导体封装结构制造方法还包括：形成多个导电柱，所述多个导电柱形成于所述第一芯片层且贯通所述塑封层，所述多个导电柱与所述第一互联结构层电性连接；形成第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层形成于所述第一芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接；
或者，所述多个导电柱形成于所述第二芯片层且贯通所述第二绝缘介质层，所述多个导电柱与所述第一互联结构层电性连接；形成第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层形成于所述第一芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接；
优选的，所述形成多个导电柱的步骤在所述形成塑封层的步骤之前进行；
优选的，所述形成第二绝缘介质层的步骤为：提供一硅载片；且所述形成第一互联结构层的步骤在所述硅载片上进行。
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