[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，第一芯片层位于第一互联结构层一侧表面，第一芯片层包括多个第一芯片，第一芯片层中的第一芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接；第二芯片层，第二芯片层位于第一互联结构层背向第一芯片层一侧表面，第二芯片层包括多个第二芯片，第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层且与第一互联结构层电性连接。第一芯片层和第二芯片层中的第二芯片均正面朝向第一互联结构层，通过第一互联结构层实现对面焊接。需要对接的芯片对面直接焊接，可有效减少线路传输损耗，相比于锡球焊接，芯片之间的第一互联结构层的厚度相对较薄，可以有效降低封装结构的整体厚度。

技术领域

本发明涉及半导体芯片互联技术领域，具体涉及半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

半导体封装结构中，相对的芯片的正面对接通常采用锡球对接。锡球对接的封装结构，锡球由于工艺的原因，通常本身的体积较大，因而对接的芯片之间的部分尺寸较厚，影响封装结构整体的薄型化。并且由于锡球体积较大，导致对接的芯片之间的线路较长，线路损耗也较大。

发明内容

基于上述问题本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法以解决正面对接的芯片的半导体封装结构尺寸较厚，对接芯片的线路损耗较大的问题。

本发明提供一种半导体封装结构，包括：第一互联结构层；第一芯片层，所述第一芯片层位于所述第一互联结构层一侧表面，所述第一芯片层包括多个第一芯片，所述第一芯片层中的第一芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接；第二芯片层，所述第二芯片层位于所述第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面，所述第二芯片层包括多个第二芯片，所述第二芯片层中的第二芯片均正面朝向所述第一互联结构层且与所述第一互联结构层电性连接。

可选的，所述第一芯片层中的两个或更多第一芯片通过所述第一互联结构层电性连接。

可选的，所述第二芯片层中的两个或更多第二芯片通过所述第一互联结构层电性连接。

可选的，所述第一芯片层中的多个第一芯片的数量与所述第二芯片层中的多个第二芯片的数量相同，所述第一芯片层中的各第一芯片与所述第二芯片层中的各第二芯片关于所述第一互联结构层镜像设置。

可选的，所述第一芯片层还包括位于第一互联结构层一侧表面的塑封层，所述塑封层包覆所述第一芯片层中的各第一芯片，所述塑封层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第一芯片层中的各第一芯片的背面平齐。

可选的，所述第二芯片层还包括位于第一互联结构层背向所述第一芯片层一侧表面的第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层包覆所述第二芯片层中的各第二芯片，所述第二绝缘介质层背离所述第一互联结构层一侧的表面与所述第二芯片层中的各第二芯片的背面平齐。

可选的，所述第二绝缘介质层为硅介质层。

可选的，所述第一芯片层还包括：贯通所述塑封层的多个导电柱，每一导电柱一端与所述第一互联结构层电性连接，另一端的表面与所述塑封层背离所述第一互联结构层一侧的表面平齐；所述半导体封装结构还包括第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层位于所述第一芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接；

可选的，所述第二芯片层还包括：贯通所述第二绝缘介质层的多个导电柱，每一导电柱一端与所述第一互联结构层电性连接，另一端的表面与所述第二绝缘介质层背离所述第一互联结构层一侧的表面平齐；所述半导体封装结构还包括第二第一互联结构层，所述第二第一互联结构层位于所述第二芯片层背离所述第一互联结构层一侧的表面，所述第二第一互联结构层与所述多个导电柱电性连接。