[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

抗穿通区，位于衬底上方；

多个沟道构件，位于所述抗穿通区上方；

栅极结构，围绕所述多个沟道构件中的每一者；

源极/漏极部件，邻近所述栅极结构；以及

扩散延迟层，

其中，所述源极/漏极部件通过所述扩散延迟层与所述抗穿通区间隔开，

其中，所述源极/漏极部件通过所述扩散延迟层与所述多个沟道构件中的每一者间隔开，并且

其中，所述扩散延迟层包括半导体材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述源极/漏极部件包括第一n型掺杂剂，

其中，所述抗穿通区包括p型掺杂剂，并且

其中，所述扩散延迟层包括不同于所述第一n型掺杂剂的第二n型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述源极/漏极部件包括磷(P)，

其中，所述抗穿通区包括硼(B)，并且

其中，所述扩散延迟层包括砷化物(As)。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述扩散延迟层包括硅和砷化物，并且

其中，所述扩散延迟层中的砷化物的浓度在约1×10²⁰atoms/cm³和约1×10²¹atoms/cm³之间。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述抗穿通区中的硼的浓度在约1×10¹⁸atoms/cm³和约1×10¹⁹atoms/cm³之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个内部间隔件部件，

其中，所述多个沟道构件通过所述多个内部间隔件部件彼此部分地间隔开，并且

其中，所述扩散延迟层在所述多个内部间隔件部件上方延伸，并且设置在所述源极/漏极部件和所述多个内部间隔件部件之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散延迟层包括在约2nm和约12nm之间的厚度。

8.一种半导体器件，包括：

抗穿通区，位于衬底上方；

鳍状有源区，位于所述抗穿通区上方；

栅极结构，位于所述鳍状有源区上方；以及

源极/漏极部件，邻近所述栅极结构，所述源极/漏极部件包括：

外部外延部件，接触所述鳍状有源区，以及

内部外延部件，位于所述外部外延部件上方，

其中，所述外部外延部件设置在所述内部外延部件和所述鳍状有源区之间，并且

其中，所述外部外延部件包括第一n型掺杂剂，并且所述内部外延部件包括不同于所述第一n型掺杂剂的第二n型掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述外部外延部件接触所述抗穿通区，并且

其中，所述外部外延部件布置在所述内部外延部件和所述抗穿通区之间。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

用掺杂剂注入衬底，以在所述衬底中形成抗穿通注入层；

在所述抗穿通注入层上方形成至少一个半导体层；

从所述抗穿通注入层上方的所述至少一个半导体层形成鳍状有源区，所述鳍状有源区包括沟道区和邻近所述沟道区的源极/漏极区；

在所述鳍状有源区的所述沟道区上方形成伪栅极堆叠件；

在所述伪栅极堆叠件和所述鳍状有源区的所述源极/漏极区上方沉积栅极间隔件层；

使所述源极/漏极区凹进，以形成源极/漏极凹进；

在所述源极/漏极凹进中形成第一外延层，所述第一外延层包括第一n型掺杂剂；以及

在所述第一外延层上方形成第二外延层，所述第二外延层包括不同于所述第一n型掺杂剂的第二n型掺杂剂。