[发明专利]一种晶圆表面清洗组件有效

专利信息
申请号: 202011630206.4 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112735984B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 邓信甫;刘大威;陈丁堃;吴海华 申请(专利权)人: 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B08B3/02
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 党蕾
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 清洗 组件
【说明书】:

发明提供一种晶圆表面清洗组件,包括:支撑臂的一端固定连接支撑杆的上端,另一端固定连接一清洗喷头;清洗喷头上设置有第一喷射构件、第二喷射构件和第三喷射构件;其中,第一喷射构件连通输送第一清洗剂的第一输送管道,第二喷射构件连通输送第二清洗剂的第二输送管道,第三喷射构件连通输送第三清洗剂的第三输送管道;支撑杆的下端连接一驱动机构,用于驱动支撑杆做升降运动或者旋转运动。结构简单紧凑、实现多种清洗剂的搭配混合使用,也能单独使用,提高清洗效率和清洁能力。

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术领域,尤其涉及一种晶圆表面清洗组件。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的晶片,晶圆清洗,将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中,由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺。是晶圆制造过程中的一个重要工艺步骤。

在半导体清洗工艺,尤其是高阶晶圆产品如逻辑集成电路,存储,功率器件等相关的晶圆产品,在制造过程中,通过繁复的各种光刻,湿法,沉积,氧化等相关的工艺进行处理,在每一个过程之前或之后执行清洗衬底的过程来去除每个过程中产生的异物和颗粒,确保后续的工艺良率的正确性与再现性。

在晶圆单片进行清洗时常使用各种清洗剂进行搭配使用,然而现有技术中,在进行清洗剂搭配的清洗组件结构复杂,不能实现多种清洗剂的搭配,清洗效率不高。

发明内容

本发明提供一种晶圆表面清洗组件,旨在解决现有技术中的清洗组件结构复杂、不能实现多种清洗剂的搭配和清洗效率不高等技术问题。

一种晶圆表面清洗组件,包括:

支撑杆;

支撑臂,支撑臂的一端固定连接支撑杆的上端,支撑臂的另一端固定连接一清洗喷头;

清洗喷头,位于晶圆的上方,清洗喷头上设置有第一喷射构件、第二喷射构件和第三喷射构件;

其中,第一喷射构件连通输送第一清洗剂的第一输送管道,用于向晶圆喷洒第一清洗剂,第二喷射构件连通输送第二清洗剂的第二输送管道,用于向晶圆喷洒第二清洗剂,第三喷射构件连通输送第三清洗剂的第三输送管道,用于向晶圆喷洒第三清洗剂;

其中,支撑杆的下端连接一驱动机构,用于驱动支撑杆做升降运动使清洗喷头使用前时达到预定高度,或者驱动支撑杆做旋转运动使清洗喷头使用时来回摆动对晶圆进行清洗。

进一步的,第一输送管道、第二输送管道和第三输送管道均位于支撑杆、支撑臂的内部。

进一步的,清洗喷头在与支撑臂的连接处设置一出线构件,出现构件上设置三个通孔,第一输送管道、第二输送管道和第三输送管道与三个通孔一一对应,第一输送管道穿过对应的通孔与第一喷射构件连通,第二输送管道穿过对应的通孔与第二喷射构件连通,第三输送管道穿过对应的通孔与第三喷射构件连通。

进一步的,第三喷射构件的喷射口正对晶圆表面。

进一步的,第一部喷射构件的喷射口与晶圆表面倾斜设置,且向第三喷射构件的喷射口倾斜;

其中,第三喷射构件的喷射范围大于第一喷射构件的喷射范围。

进一步的,第二部喷射构件的喷射口与晶圆表面倾斜设置,且向第三喷射构件的喷射口倾斜;

其中,第三喷射构件的喷射范围大于第二喷射构件的喷射范围。

进一步的,第三喷射构件包括:

注入通道,注入通道的俯视图为一圆形,所注入通道连通第三输送管道;

注入通道包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域;

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