[发明专利]一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法

权利要求书

1.一种PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在硅基底的背面沉积钝化层；

S2，使用低能量激光器对所述钝化层照射激光，使激光照射下的钝化层形成开槽，所述开槽内的硅基底裸露；

S3，在所述开槽和所述钝化层表面沉积保护层，所述保护层为氮化硅薄膜；

S4，使用电子浆料烧穿所述开槽内的保护层，制备背电极，所述背电极与所述开槽内的硅基底接触;

所述步骤S2中，激光功率为15～25W，激光频率为1000～2000kHz，激光速度为30000～45000m/s，激光光斑直径为20～30um。

2.根据权利要求1所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述钝化层为氧化铝薄膜。

3.根据权利要求2所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述氧化铝薄膜的厚度为3～15nm。

4.根据权利要求1所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S3中，氮化硅薄膜的厚度为75～85nm。

5.根据权利要求4所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S4中的电子浆料为银浆。

6.根据权利要求5所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述背电极的制备方法为丝网印刷法，印刷压力为50～80N，印刷电极栅线宽度为80～120um。

7.根据权利要求6所述的PERC单晶双面太阳能电池背面制备的方法，其特征在于：所述步骤S4中，烧结温度为720～850℃,烧结时间为3～10s。