[发明专利]IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件

权利要求书

1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，包括：

步骤（a）、通过硼扩散方式，在n型硅基体（10）的背面制备p+掺杂层（201），其中，所述在n型硅基体（10）的背面制备p+掺杂层（201）包括：将导致正电荷载流子数量增加的掺杂材料硼加入进表面下方一定距离的n型硅基体中，从而形成具有p+型导电性的表面层；

步骤（b）、在所述p+掺杂层（201）上形成第一掩膜（60）；

步骤（c）、采用激光去除部分区域的第一掩膜（60），形成包括p+掺杂层（201）和第一掩膜（60）的第一区域（20）以及包括所述p+掺杂层（201）的第二区域（30），其中，所述第一区域（20）与所述第二区域（30）指交叉排列；

步骤（d）、用第一碱溶液去除所述第二区域（30）中的p+掺杂层（201），使相邻两个所述第一区域（20）之间形成第一凹槽结构（301），其中，所述第一凹槽结构（301）的剖面为梯形，所述第一区域（20）包括的所述第一掩膜（60）延伸至所述梯形的下底，其中，所述第一碱溶液包括：四甲基氢氧化铵；

步骤（e）、在所述第一凹槽结构（301）的上底形成n+掺杂层（302）或者隧穿氧化钝化接触层（303），并通过延伸至所述梯形的下底的第一掩膜（60）限制所述n+掺杂层（302）或者所述隧穿氧化钝化接触层（303）的宽度，其中，所述n+掺杂层（302）是顺序通过离子注入的步骤以及退火步骤形成的。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤（d）之后，在步骤（e）之前，进一步包括：

利用所述第一碱溶液刻蚀和抛光与所述第二区域（30）对应的部分n型硅基体，使所述n型硅基体（10）的背面部分形成第二凹槽结构（3011），并使所述第一区域（20）包括的所述p+掺杂层（201）的侧壁倾斜，其中，所述第二凹槽结构（3011）与所述第一区域（20）包括的所述p+掺杂层（201）的侧壁构成所述第一凹槽结构（301）。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（e）包括：

在所述第二凹槽结构（3011）内形成n+掺杂层（302）或者隧穿氧化钝化接触层（303）。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进一步包括：

用HF溶液去除所述第一区域（20）的第一掩膜（60）。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述n+掺杂层（302）的下表面所在平面未超过所述p+掺杂层（301）的上表面所在的平面。

6.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，

针对形成隧穿氧化钝化接触层（303）的情况，

步骤（e），包括：

步骤（e1）、生长隧穿SiO₂氧化层（3031），并在所述隧穿SiO₂氧化层（3031）上形成n+多晶硅钝化层（3032）。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（e1），包括：

步骤（e11）、同步在所述第二区域（30）的所述第一凹槽结构（3011）内和所述第一区域（20）生长隧穿SiO₂氧化层（3031）；

步骤（e12）、在所述隧穿SiO₂氧化层（3031）上制备n+多晶硅钝化层（3032）；

步骤（e13）、在所述n+多晶硅钝化层（3032）上形成第二掩膜（70）；

步骤（e14）、通过激光方式去除所述第一区域（20）内的所述第二掩膜（70）；

步骤（e15）、利用第二碱溶液去除所述第一区域（20）内的n+多晶硅钝化层（3032）；

步骤（e16）、利用HF溶液去除所述第一区域（20）内的隧穿SiO₂氧化层（3031）和所述第二区域（30）的所述n+多晶硅钝化层（3032）上的所述第二掩膜（70）。