[发明专利]IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件

说明书

本发明公开了IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件。该制备方法包括：在n型硅基体的背面制备p+掺杂层；在p+掺杂层上形成第一掩膜；采用激光去除部分区域的第一掩膜，形成指交叉排列的包括p+掺杂层和第一掩膜的第一区域以及包括p+掺杂层的第二区域；用第一碱溶液去除第二区域中的p+掺杂层，使相邻两个第一区域之间形成第一凹槽结构，其中，第一凹槽结构的剖面为梯形，第一区域包括的第一掩膜延伸至于梯形的下底；在第一凹槽结构的上底形成n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层，并通过延伸至梯形的下底的第一掩膜限制n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层的宽度。该制备方法简化了IBC电池制作工艺。

技术领域

本发明涉及一种IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件。

背景技术

指交叉背接触(Interdigitated back contact，IBC)太阳能电池(简称：IBC电池)，是一种将p+掺杂区域和n+掺杂区域均放置在电池背面(非受光面)的太阳能电池，该IBC电池的受光面无任何金属电极遮挡，从而有效增加了电池的短路电流，使电池的能量转化效率得到提高。

由于IBC电池的电极都位于硅片背面，需要在硅片背面形成交叉排列的两种不同的掺杂区域。目前IBC电池制备过程中，为了实现在硅片背面形成交叉排列的两种不同掺杂区域，需要在掺杂工艺和金属化工艺中引入图形化(patterning)和对准(alignment)的步骤，并通过设置不同的掩膜使得不同的掺杂区域被隔离开，并在不同的掺杂区域之间设置隔离层等。导致现有的IBC电池制备工艺步骤比较复杂，成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种IBC电池的制备方法、IBC电池和太阳能电池组件，能够有效地简化IBC电池制作工艺，并降低IBC电池成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种IBC电池的制备方法，包括：

步骤(a)、通过硼扩散方式，在n型硅基体的背面制备p+掺杂层；

步骤(b)、在所述p+掺杂层上形成第一掩膜；

步骤(c)、采用激光去除部分区域的第一掩膜，形成包括p+掺杂层和第一掩膜的第一区域以及包括所述p+掺杂层的第二区域，其中，所述第一区域与所述第二区域指交叉排列；

步骤(d)、用第一碱溶液去除所述第二区域中的p+掺杂层，使相邻两个所述第一区域之间形成第一凹槽结构，其中，所述第一凹槽结构的剖面为梯形，所述第一区域包括的所述第一掩膜延伸至所述梯形的下底；

步骤(e)、在所述第一凹槽结构的上底形成n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层，并通过延伸至所述梯形的下底的第一掩膜限制所述n+掺杂层或者所述隧穿氧化钝化接触层的宽度。

第二方面，本发明提供一种IBC电池，包括：n型硅基体、位于所述n型硅基体背面的呈指交叉排列的第一区域和第二区域，其中，

所述第一区域设置有p+掺杂层；

所述第二区域包括第一凹槽结构，所述第一凹槽结构的剖面为梯形，其中，所述第一凹槽结构由相邻两个所述p+掺杂层的侧壁与所述n型硅基体背面围成；

所述第一凹槽结构内设置有n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层，所述第一凹槽结构使所述n+掺杂层或者隧穿氧化钝化接触层与相邻的所述p+掺杂层物理隔离。

第三方面，本发明提供一种太阳能电池组件，包括：背板、盖板以及多个上述IBC电池，其中，

多个所述IBC电池封装于所述背板和所述盖板之间。