[发明专利]一种半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统及方法

权利要求书

1.一种半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，包括供酸系统、高洁净湿法设备和废液回收系统；

所述供酸系统用于将化学液输送至高洁净湿法设备；

所述高洁净湿法设备包括工作舱、混酸装置和晶圆清洗设备；所述工作舱上安装有用以吹送纯净气体的风机过滤单元，工作舱的内部通过透气隔板分隔成多个舱室，混酸装置和晶圆清洗设备交替安装在工作舱的各舱室内，所述混酸装置用于混合供酸系统提供的各类化学液并将混合好的具有特定比例浓度的清洗液提供给晶圆清洗设备进行晶圆上下表面的清洗，喷淋管与混酸装置的出液管与相连；

所述废液回收系统用于对晶圆清洗设备排放的废液进行过滤回收，并将回收的溶液输送给供酸系统；

所述晶圆清洗设备上设置有多个分布在其外壳上不同位置的喷淋管，其中一个喷淋管包括液体清洗喷头、雾化清洗喷头、氮气喷嘴和超声波震荡片，液体清洗喷头、雾化清洗喷头和氮气喷头呈三角形分布，液体清洗喷头朝向三角形的中心于晶圆上的投影，雾化清洗喷头为伞状喷头，雾化清洗喷头的圆心与晶圆的圆心重合。

2.根据权利要求1所述的半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，所述晶圆清洗设备包括设备外壳、设置在设备外壳内的复合腔体结构、以及设置在复合腔体结构内的晶圆支撑结构；

所述设备外壳上安装有与复合腔体结构相连通的用以抽出复合腔体结构内废气的抽气装置和至少一个用于向晶圆表面喷射清洗液或气体的喷淋管；

所述晶圆支撑结构用于使晶圆悬浮在其上方并向晶圆背面喷射清洗液；

所述复合腔体结构内部设置有多层腔室大小可调的引流腔，复合腔体结构用以使不同工作模式下晶圆表面和背面的清洗液从其相应引流腔流至设备外部。

3.根据权利要求2所述的半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，所述复合腔体结构包括：

腔体外壳；

与腔体外壳的内侧壁相贴合且其上端部通过卡环与腔体外壳相固定的支撑环圈；

设置在支撑环圈上的第二隔离组件；

以及与第二隔离组件交叉从而在两者之间形成多层引流腔的第一隔离组件，所述第一隔离组件上安装有可使其上、下移动从而改变各层引流腔的腔室空间大小的顶升元件。

4.根据权利要求3所述的半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，所述第一隔离组件包括第一层隔离环圈和第三层隔离环圈，所述第二隔离组件包括第二层隔离环圈和第四层隔离环圈，

所述第一层隔离环圈与第三层隔离环圈相扣合；

所述第二层隔离环圈设置在第一层隔离环圈和第三层隔离环圈之间且其底部支撑在所述支撑环圈上，第一层隔离环圈与第二层隔离环圈之间形成第一层引流腔，第二层隔离环圈与第三层隔离环圈之间形成第二层引流腔；

所述第三层隔离环圈设置在第四层隔离环圈与支撑环圈之间，第三隔离环圈与第四隔离环圈之间形成第三层引流腔；

所述第四层隔离环圈扣合固定在支撑环圈的内边沿上，所述第四层隔离环圈内部设置有第一引流槽道。

5.根据权利要求4所述的半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，所述第二层隔离环圈、第三层隔离环圈和第四层隔离环圈的内部均开设有导管槽，第二层隔离环圈上的导管槽与第一层引流腔相连通，第三层隔离环圈上的导管槽与第二层引流腔相连通，第四层隔离环圈上的导管槽与第三层引流腔相连通。

6.根据权利要求2所述的半导体湿法工艺中晶圆清洗液循环利用系统，其特征在于，所述晶圆支撑结构包括清洗机构和用以带动清洗机构上下移动和在圆周方向旋转的顶升旋转机构，

所述清洗机构包括套设在顶升旋转机构上的晶圆定位组件以及扣合固定在晶圆定位组件上的管件外壳，所述管件外壳内设置有晶圆吸附管和清洗液输送管，

所述晶圆吸附管竖直穿过顶升旋转机构，用以喷射使晶圆的上表面与下表面之间形成压力差从而使晶圆悬浮在清洗机构上方的气流；

所述清洗液输送管竖直穿过顶升旋转机构并与管件外壳上设置的倾斜喷嘴相连通，清洗液输送管用以输送清洗晶圆下表面污染物的清洗液。