[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方提供半导体层，所述半导体层垂直地布置有位于相邻的半导体层之间的空间；

形成围绕每个所述半导体层的界面层；

在围绕每个所述半导体层的所述界面层上形成介电层；

在所述介电层上形成第一导电层；

去除所述第一导电层以暴露所述介电层；

在暴露的所述介电层上形成第二导电层，使得相邻的半导体层之间的所述空间不被所述第二导电层完全填充；

在所述第二导电层上形成第三导电层，使得相邻的半导体层之间的所述空间被所述第三导电层填充，其中：

所述半导体层是半导体线或半导体片。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第一导电层与去除所述第一导电层之间：

修整所述第一导电层，使得所述第一导电层保留在相邻的半导体层之间的所述空间处并且暴露所述介电层的部分；

在所述修整之后，形成附加导电层；

去除所述附加导电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述附加导电层由与所述第一导电层相同的材料制成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一导电层和所述附加导电层由TiN制成。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述附加导电层是通过原子层沉积制成的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电层由TiAl或TiAlC制成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二导电层中的铝浓度在20原子％至25原子％的范围内。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二导电层中的Ti浓度在30原子％至35原子％的范围内。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在设置于衬底上的底部鳍片结构上方提供用于n型FET的半导体层的第一组和用于p型FET的半导体层的第二组，所述第一组和所述第二组中的每个垂直地布置有位于在相邻的半导体层之间的空间；

形成围绕所述第一组和所述第二组中的每个所述半导体层的介电层；

用牺牲层填充所述第二组中的所述半导体层之间的空间；

形成围绕所述第一组中的所述半导体层的一个或多个n型功函数调整层，使得所述第一组中的所述半导体层之间的空间由所述一个或多个n型功函数调整层完全填充；

在形成所述一个或多个n型功函数调整层之后，从所述第二组去除所述牺牲层；以及

形成围绕所述第二组中的所述半导体层的一个或多个p型功函数调整层，其中：

所述半导体层是半导体线或半导体片。

10.一种半导体器件，包括：

多个半导体纳米片，在垂直方向上布置在衬底上方；

栅极介电层，围绕所述多个半导体纳米片中的每个的沟道区；

第一金属层，设置在所述栅极介电层上并且围绕所述多个半导体纳米片中的每个的沟道区；

第二金属层，设置在所述第一金属层上并且围绕所述多个半导体纳米片中的每个的沟道区；以及

第三金属层，设置在所述第二金属层上，

其中，所述第二金属层完全填充所述多个半导体纳米片中的相邻半导体片之间的空间，所述多个半导体纳米片中的每个由所述第一金属层和所述栅极介电层围绕。