[发明专利]一种金属图案的制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种金属图案的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成光刻胶层，并进行图案化处理，以形成外露部分所述牺牲层的光刻胶图案；

以所述光刻胶图案为掩膜对外露的所述牺牲层进行蚀刻，以形成外露部分所述衬底的牺牲层图案；

以所述光刻胶图案和所述牺牲层图案为掩膜在所述光刻胶图案和外露的所述衬底上沉积金属层；

去除所述光刻胶图案以及所述光刻胶图案上的所述金属层，并保留沉积于所述衬底上的所述金属层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为能够被含氟类化学试剂蚀刻的材料。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度大于或等于所述金属层的厚度。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述以所述光刻胶图案为掩膜对外露的所述牺牲层进行蚀刻的步骤包括：

以湿蚀刻方式对所述牺牲层进行蚀刻，以使得所述牺牲层图案在所述衬底上的投影位于所述光刻胶图案在所述衬底上的投影的内部，以形成底切结构。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层图案的投影的边缘相较于所述光刻胶图案的投影的边缘之间的径向距离为0.2μm-10μm。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶图案以及所述光刻胶图案上的所述金属层的步骤之前，所述方法进一步包括：

在所述金属层上形成保护膜。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶图案以及所述光刻胶图案上的所述金属层的步骤之前，所述方法进一步包括：

去除所述保护膜。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶图案以及所述光刻胶图案上的所述金属层，并保留沉积于所述衬底上的所述金属层的步骤之后，所述方法进一步包括：

去除所述牺牲层图案。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括如权利要求1-9任意一项所述方法制成的所述金属图案。