[发明专利]一种金属图案的制造方法以及半导体器件

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种金属图案的制造方法以及半导体器件，该方法包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层，并进行图案化处理，以形成外露部分牺牲层的光刻胶图案；以光刻胶图案为掩膜对外露的牺牲层进行蚀刻，以形成外露部分衬底的牺牲层图案；以光刻胶图案和牺牲层图案为掩膜在光刻胶图案和外露的衬底上沉积金属层；去除光刻胶图案以及光刻胶图案上的金属层，并保留沉积于衬底上的金属层。通过上述方式，本申请的衬底表面不会有残留的光刻胶图案和有机物污染，且能够降低对光刻胶的要求，减少制造成本。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种金属图案的制造方法以及半导体器件。

背景技术

LED芯片以其寿命长、发光性能好、节能环保等优点而被广泛应用于生活照明、信号灯、室外全色大型显示屏等领域。现有的LED芯片通常包括衬底、外延结构以及电极结构，其中，电极结构的图形化通常采用撕金工艺实现。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现在传统撕金工艺中，需要利用特定的光刻胶在衬底上形成具有底切的倒梯形光刻胶图案，进而破坏后续沉积的金属层的连续性，以便后续去除光刻胶图案和光刻胶图案上的金属层，并保留沉积在衬底上的金属图案，且要求衬底表面无有机物残留和污染，而能够满足上述要求的光刻胶图案一般为负胶，且需要进行特殊配制，成本高。

发明内容

基于此，本申请提供一种金属图案的制造方法以及半导体器件，本申请的衬底表面不会有残留的光刻胶图案和有机物污染，且能够降低对光刻胶的要求，减少制造成本。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种金属图案的制造方法，该方法包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成光刻胶层，并进行图案化处理，以形成外露部分牺牲层的光刻胶图案；以光刻胶图案为掩膜对外露的牺牲层进行蚀刻，以形成外露部分衬底的牺牲层图案；以光刻胶图案和牺牲层图案为掩膜在光刻胶图案和外露的衬底上沉积金属层；去除光刻胶图案以及光刻胶图案上的金属层，并保留沉积于衬底上的金属层。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种半导体器件，半导体器件包括如前述方法制成的金属图案。

区别于现有技术的情况，本申请提出一种金属图案的制造方法，该制造方法以光刻胶图案和牺牲层图案为掩膜，该光刻胶图案和牺牲层图案组成的“双掩膜结构”可替代传统撕金工艺中特定的光刻胶，本申请的衬底表面不会有残留的光刻胶图案和有机物污染，且本申请对光刻胶层的材料并无特殊要求，既可以为负胶，也可以为正胶，因此，本申请能够降低对光刻胶的要求，进而减少制造成本。此外，通过对外露的牺牲层进行蚀刻，无论负胶或正胶均可形成具有底切形貌的光刻胶图案，光刻胶图案更容易剥离。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是传统撕金工艺的流程对应的结构示意图；

图2是本申请第一实施例提供的金属图案的制造方法的流程示意图；

图3是图2中各步骤对应的结构示意图；

图4是本申请第一实施例提供的半导体器件的结构示意图；

图5是本申请第一实施例提供的半导体器件的另一结构示意图；

图6是本申请第二实施例提供的金属图案的制造方法的流程示意图；

图7是本申请第三实施例提供的金属图案的制造方法的流程示意图；

图8是本申请第四实施例提供的金属图案的制造方法的流程示意图；

图9是图8中各步骤对应的结构示意图；