[发明专利]一种抛光载具的修整方法有效
申请号: | 202011633942.5 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112757161B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 孙强;柏友荣;黄珊;张俊宝;宋洪伟;陈猛 | 申请(专利权)人: | 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
主分类号: | B24B53/017 | 分类号: | B24B53/017 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201616 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 修整 方法 | ||
本发明公开了一种抛光载具的修整方法,属于抛光技术领域。修整方法包括:根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片;将所述调整垫片放置于所述抛光载具与待修整面相对设置的另一面上;抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作,通过磨削待修整面完成修整;所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。本发明有效解决了抛光载具与待抛光件的接触面形状统一,且易磨损、更换成本高等问题。
技术领域
本发明涉及抛光技术领域,尤其涉及一种抛光载具的修整方法。
背景技术
电子技术的快速发展依托于硅晶圆等基础材料的性能提升,对于硅晶圆而言表面平整度为其主要控制参数,现常采用双机械研磨加单面化学机械抛光技术来控制硅晶圆的最终表面平整度。单面化学机械抛光技术在抛光载具与抛光垫之间放置硅晶圆,气缸抛头对硅晶圆施加向下的压力与抛光垫的圆周运动配合,实现硅晶圆的表面修整。但由于抛光垫做圆周运动时各点线速度存在差异,使得修整后的硅晶圆表面局部存在差异,表面平整度未达到最优。
对于上述问题,普遍的解决方案是利用钻石修整轮修整抛光垫表面以抵消抛光垫各点线速度的差异,但此方案过程繁琐,作业难度较高。现有技术中也会通过改变抛光载具与硅晶圆接触面的形貌,来抵消抛光垫各点线速度的差异,以提高硅晶圆的表面平整度;由于市场上的抛光载具与待抛光件的接触面均为统一标准制成,无法使待抛光件与抛光垫的接触面形貌根据需要发生适应性地改变,以抵消抛光垫各点线速度的差异,且抛光载具在使用到一定时间后也会发生磨损,进而使得其接触面的形貌改变,影响最终硅晶圆的表面精度;此外,考虑到成本问题,抛光载具不便经常更换,只能对其接触面进行修整。
为此,亟需提供一种抛光载具的修整方法以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抛光载具的修整方法,能够快速高效地修整抛光载具。
为实现上述目的,提供以下技术方案:
一种抛光载具的修整方法,所述修整方法包括以下步骤:
S1:根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片;
S2:将所述调整垫片放置于所述抛光载具的与待修整面相对设置的另一面上;
S3:抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作,通过磨削待修整面以进行修整;所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。
作为上述修整方法的可选方案,所述调整垫片与待修整面同轴心设置。
作为上述修整方法的可选方案,所述调整垫片为实心圆片结构,所述调整垫片使得待修整面的磨削量沿远离旋转中心的方向呈递减趋势。
作为上述修整方法的可选方案,所述调整垫片为圆环结构,所述调整垫片使得待修整面的磨削量沿远离旋转中心的方向呈递增趋势。
作为上述修整方法的可选方案,所述调整垫片的外径与待修整面的外径相同。
作为上述修整方法的可选方案,步骤S1中待修整面的目标形貌通过以下步骤获取:
S100:选取某一抛光载具,所述抛光载具与待抛光件接触的面具有初始形貌,将待抛光件放入所述抛光装置中,对待抛光件进行抛光,待抛光完成后,检测并记录待抛光件的表面平整度X;
S200:步骤S100重复N-1次,获得N个具有不同初始形貌的所述抛光载具对应的待抛光件的表面平整度X1、X2、X3……XN;
S300:选取X1、X2、X3……XN中的最小值Xmin,将其对应的所述抛光载具的初始形貌作为待修整面的目标形貌。
作为上述修整方法的可选方案,步骤S3包括以下步骤:
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