[发明专利]平面晶体管的设计方法及平面电晶体有效

专利信息
申请号: 202011636413.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112818631B 公开(公告)日: 2023-06-06
发明(设计)人: 苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 申请(专利权)人: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 杨欢
地址: 510000 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 平面 晶体管 设计 方法 电晶体
【权利要求书】:

1.一种平面晶体管的设计方法,其特征在于,包括:所述设计方法使用优先方法将设计规则划分成多个级别,并将所述多个级别进行优先级排序;其中,

所述优先级排序后的第一级别为:检查所述设计规则是否为新规则,其中,所述新规则定义为需要在设计技术标准中描述的新层规则或设计制造的新推荐规则或被划分为若干子规则的条件规则;

所述优先级排序后的第二级别为:检查所述设计规则是否设计芯片的尺寸大小;

所述优先级排序后的第三级别为:检查所述设计规则是否与所制备的平面晶体管的功能产出相关,其中,功能产出包括功能成品率,通过所述功能产出的功能成品率来评价所述设计方法所造成的功能缺陷;

所述优先级排序后的第四级别为:检查所述设计规则是否与所制备的平面晶体管的参数成品率相关,其中,通过所述参数成品率来评价所述设计方法所引起的性能问题;

其中,所述多个级别中,优先级由所述第一级别至所述第四级别的优先级依次降低;

使用优先方法划分所述设计方法,并基于优先级排序后的所述多个级别的所述设计方法对所述平面晶体管进行设计;

对使用所述优先方法划分的所述多个级别的设计规则进行良率评估及芯片尺寸大小评估;

分析所述优先方法划分的所述多个级别的设计规则与所述平面晶体管的功率、所述平面晶体管的性能、所述平面晶体管的面积以及所述平面晶体管的良率之间的相互影响关系;

使用几何编程方法优化所述设计方法,使所述平面晶体管的功率、所述平面晶体管的性能、所述平面晶体管的面积以及所述平面晶体管的良率达到最佳。

2.根据权利要求1所述的平面晶体管的设计方法,其特征在于,在所述优先级排序的第二级别中,检查所述设计规则是否设计芯片的尺寸大小包括检查所述设计规则是否设计芯片的尺寸可缩小的幅度。

3.根据权利要求1所述的平面晶体管的设计方法,其特征在于,所述多个级别中,至少一所述级别的设计规则为非关键规则、所有级别的设计规则均为关键规则或所有级别的设计规则均为非关键规则;将划分后的所述多个级别的设计规则进行评估,将评估结果分为多个小组,并将多个小组分为多个风险等级;所述评估结果中,风险等级最高的为:所述第一级别、所述第二级别、所述第三级别及所述第四级别中的设计规则均为关键规则;风险等级最低的为:所述第一级别、所述第二级别、所述第三级别及所述第四级别中的设计规则均为非关键规则。

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