[发明专利]标准单元制备方法、标准单元、集成电路及系统芯片

权利要求书

1.一种标准单元制备方法，其特征在于，包括：

提供第一标准单元，所述第一标准单元包括至少一个标准阈值电压器件，且所述标准阈值电压器件为采用全耗尽绝缘体上硅工艺制成；

形成背压通孔，所述背压通孔经由所述第一标准单元的正面的背压施加处沿所述第一标准单元的厚度方向向下延伸并贯穿氧化埋层；

于所述背压通孔内形成导电插塞，所述导电插塞的一端与底层硅层靠近所述氧化埋层的一侧电连接；

向所述导电插塞的另一端施加正向偏压，使得所述第一标准单元的开关速度达到第二标准单元的开关速度，其中，所述第一标准单元的高度小于所述第二标准单元的高度。

2.根据权利要求1所述的标准单元制备方法，其特征在于，采用穿透硅通孔技术形成所述背压通孔。

3.根据权利要求1所述的标准单元制备方法，其特征在于，所述第一标准单元包括与标准单元、或标准单元、非标准单元、触发器标准单元及锁存器标准单元中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的标准单元制备方法，其特征在于，向所述导电插塞的另一端施加正向偏压的增加量，与所述第一标准单元的门极电流的增加量正相关。

5.根据权利要求1-3任一项所述的标准单元制备方法，其特征在于，所述于所述背压通孔内形成导电插塞之后，还包括形成焊盘的步骤；

其中，所述焊盘与所述导电插塞电连接，且所述焊盘在所述第一标准单元的正面的正投影的面积大于零。

6.根据权利要求1-3任一项所述的标准单元制备方法，其特征在于：

所述第一标准单元的高度为6.5T、7T或9T中的任意一个；

所述第二标准单元的高度为7T、9T或12T中的任意一个。

7.根据权利要求6所述的标准单元制备方法，其特征在于，若所述第一标准单元的高度为6.5T，且所述第二标准单元的高度为9T，则向所述第一标准单元施加正向偏压的电压值为大于0且小于或等于2Vdd，其中，Vdd为确定工艺中的额定电压值。

8.一种标准单元，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的标准单元制备方法制成。

9.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一宏块；

第二宏块；以及

至少一个如权利要求8所述的标准单元，所述标准单元位于所述第一宏块与所述第二宏块之间；所述第一宏块及所述第二宏块为硬宏知识产权IP或存储器块。

10.一种系统芯片，包括：

存储器；

处理器，其包括如权利要求9所述的集成电路。