[发明专利]双重管结构流动池装置在审
申请号: | 202011639802.9 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN113496913A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 朴贤国;朴成焕 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双重 结构 流动 装置 | ||
1.一种双重管结构流动池装置,其特征在于,包括:
第一流路形成部,连接于介质流入部,以供流动介质流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流动介质流动;
第二流路形成部,以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部连接于介质排出部,以使所述第二流路部的流动介质排出;以及
气泡排出部,连接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。
2.根据权利要求1所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述第二流路形成部配置在所述第一流路形成部的内部。
3.根据权利要求2所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述第一流路形成部包括:
外部壳体,连接所述介质流入部和所述气泡排出部;以及
透光部,分别形成在所述外部壳体的两侧,以使光透过。
4.根据权利要求3所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述第二流路形成部包括:
内部壳体,所述内部壳体的两侧被开口,以连通所述第一流路部和所述第二流路部,并且所述内部壳体与所述介质排出部连接;以及
气泡分离部,形成于所述内部壳体的外侧面。
5.根据权利要求4所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述外部壳体和所述内部壳体配置为双重管形状。
6.根据权利要求4所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述气泡排出部配置在所述外部壳体的上侧,以排出从流动介质中分离的气泡。
7.根据权利要求6所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述气泡排出部分别形成在所述外部壳体的两侧端部。
8.根据权利要求7所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述气泡分离部分别形成在所述内部壳体的两侧端部。
9.根据权利要求6所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述气泡排出部包括:
气泡排出线,连接于所述外部壳体和第一泵;以及
开度调节阀,设置在所述气泡排出线。
10.根据权利要求1所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述第一流路部的截面面积形成为大于所述介质流入部的截面面积。
11.根据权利要求1所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述双重管结构流动池装置还包括排放部,所述排放部连接于所述第一流路形成部。
12.根据权利要求11所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,
所述排放部包括:
第一排放线,连接于所述第一流路形成部和所述介质排出部;
第一开关阀,设置于所述第一排放线;
第二排放线,从所述第一排放线分支;以及
第二开关阀,设置于所述第二排放线。
13.根据权利要求1所述的双重管结构流动池装置,其特征在于,还包括:
监测部,向沿所述第二流路部流动的流动介质照射光,以测量流动介质的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造