[发明专利]双重管结构流动池装置

说明书

根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于包括：包括第一流路形成部，连接于介质流入部，以供流动介质流入，并且所述第一流路形成部形成有第一流路部，以供流动介质流动；第二流路形成部，以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部，并且所述第二流路形成部连接于介质排出部，以使所述第二流路部的流动介质排出；以及气泡排出部，连接于所述第一流路形成部，以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。根据本发明，高温的流动介质在双重管结构流动池装置中流动，流动介质的波长被光吸收，所以在实际的半导体工序中使用的条件下测量流动介质的浓度，无需为了提高流动介质的检测灵敏度而对流动介质分多次进行化学处理。

技术领域

本发明涉及双重管结构流动池装置(FLOW CELL APPARATUS)，更加详细地，在流动介质的使用条件下监测流动介质的状态，能够准确地测量流动介质的浓度的双重管结构流动池装置。

背景技术

一般情况下，半导体晶片或太阳能电池等半导体制造工序中执行蚀刻工序。在蚀刻工序中，为了蚀刻氮化硅膜，使用如磷酸溶液等高温的蚀刻溶液(流动介质)。从半导体晶片中溶出硅等溶出物后包含于蚀刻溶液，所以随着半导体晶片的蚀刻工序的执行，蚀刻溶液中的溶出物的浓度增加。如果蚀刻溶液中的溶出物的浓度增加到一定浓度以上，则更换蚀刻溶液。

在蚀刻溶液为高温的状态下难以微量分析硅的浓度，所以收集蚀刻溶液的一部分冷却到常温。为了提高冷却的蚀刻溶液的检测灵敏度，在进行多次化学处理之后检测蚀刻溶液的浓度。

但是，以前是将蚀刻溶液冷却到常温之后进行多次化学处理，所以根据蚀刻溶液的温度差异，检测误差范围增大。因此，在实际半导体工序中应用的使用条件下难以准确地预测蚀刻溶液的状态。

并且，在将高温的蚀刻溶液降低至常温时，从蚀刻溶液容易析出溶出物，所以有时难以在蚀刻溶液准确地测量溶出物的浓度。

并且，为了准确地测量蚀刻溶液的浓度，分多次进行化学处理，所以在分析浓度的过程中复杂地形成矩阵，降低分析浓度的准确性。

在韩国授权专利公报第1785859号(2017.09.29授权，发明名称：铜离子检测用荧光硅纳米粒子、其的制造方法以及利用其的检测传感器)中公开了本发明的背景技术。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的目的在于提供双重管结构流动池装置，在流动介质的使用条件下监测流动介质的状态，能够准确地测量流动介质的浓度。

解决技术问题的手段

根据本发明的双重管结构流动池装置的特征在于，包括第一流路形成部，连接于介质流入部，以供流动介质流入，并且所述第一流路形成部形成有第一流路部，以供流动介质流动；第二流路形成部，以与所述第一流路部连通的方式形成有第二流路部，并且所述第二流路形成部连接于介质排出部，以使所述第二流路部的流动介质排出；以及气泡排出部，连接于所述第一流路形成部，以排出混合在所述第一流路部的流动介质中的气泡。

所述第二流路形成部可以配置在所述第一流路形成部的内部。

所述第一流路形成部可以包括：外部壳体，连接所述介质流入部和所述气泡排出部；以及透光部，分别形成在所述外部壳体的两侧，以使光透过。

所述第二流路形成部可以包括：内部壳体，所述内部壳体的两侧被开口，以连通所述第一流路部和所述第二流路部，并且所述内部壳体与所述介质排出部连接；以及气泡分离部，形成于所述内部壳体的外侧面。

所述外部壳体和所述内部壳体可以配置为双重管形状。

所述气泡排出部可以配置在所述外部壳体的上侧，以排出从流动介质分离的气泡。

所述气泡排出部可以分别形成在所述外部壳体的两侧端部。