[发明专利]一种芯片制备用硅晶片加工装置及加工工艺

说明书

本发明涉及硅晶片加工装置技术领域，公开了一种芯片制备用硅晶片加工装置及加工工艺，通过打磨盘对硅晶圆进行打磨，启动增压泵，水箱内的水排进进水管内，通过进水管进而排进增压泵内，经过增压泵的增压作用，将冷却液排进出水管，最后经过多孔喷头喷出，从而在打磨时实现对硅晶圆的水冷降温作用，联轴器带动输入轴转动，输入轴带动第一主动皮带轮和第二主动皮带轮转动，第一主动皮带轮和第二主动皮带轮通过第一传动皮带和第二传动皮带分别带动第一从动皮带轮和第二从动皮带轮转动，进而使得第一转轴和第二转轴转动，从而使得两个散热扇转动，通过散热扇转动能够对打磨时产生的碎屑进行处理，防止碎屑影响打磨视线。

技术领域

本发明涉及硅晶片加工装置技术领域，具体为一种芯片制备用硅晶片加工装置及加工工艺。

背景技术

元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素，地壳成分中27.8％是硅元素构成的，仅次于氧元素含量排行第二，硅是自然界中比较富的元素，在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素，硅晶片又称晶圆片，是由硅锭加工而成的，通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，硅属于半导体材料，其自身的导电性并不是很好，然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率，制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片，这要从硅锭的生长开始，单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料，多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片，加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间，这取决于很多因素，包括大小、质量和终端用户要求，硅晶片在投入使用前需要进行打磨处理。

现有技术中，常见的硅晶片打磨装置大多数比较简陋，部分打磨装置缺少相应的硅晶片夹持装置，使得硅晶片在进行打磨时因缺少夹持或夹持不稳定导致硅晶片打磨时发生偏移，继而影响了硅晶片的打磨效果，另一方面，硅晶片在进行打磨时会局部会产生高温，长时间的局部打磨会使得硅晶片的打磨部分因温度过高导致整个硅晶片发生软化变形，从而影响了打磨尺寸，间接影响了打磨效果，且对于打磨过程中产生的细小碎屑需要及时处理，否则可能会影响操作人员的视线，导致打磨效果不理想，因此我们公开发明了一种芯片制备用硅晶片加工装置来满足需求。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种芯片制备用硅晶片加工装置，具备对硅晶圆4夹持固定、风冷水冷降温等优点，解决了硅晶圆4因缺少夹持装置易于偏移、温度过高发生软化变形的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种芯片制备用硅晶片加工装置，包括底板，所述底板的顶部固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有支撑台，所述支撑台的顶端设有硅晶圆，所述底板的顶部固定连接有两个固定板，两个所述固定板的一侧侧壁上均开设有转孔，两个所述转孔内转动套接有同一个双向螺纹杆，所述双向螺纹杆的两端分别贯穿所述转孔，且延伸至两个所述固定板的外侧，所述双向螺纹杆的一端固定连接有手轮，所述双向螺纹杆上转动螺接有两个滑动块，两个所述滑动块的一侧侧壁上均开设有穿孔，两个所述穿孔内滑动套接有同一个水平导杆，所述水平导杆的两端分别与两个相对应的所述固定板相连接，两个所述滑动块的顶端均固定连接有第一固定柱，所述底板的顶部固定连接有两个支柱，两个所述支柱的位置均与两个所述固定板的位置相对应，两个所述支柱的顶端均固定连接有第二固定柱，同一侧的两个所述第一固定柱与所述第二固定柱上均固定套接有弧形板。

优选地，两个所述弧形板相互靠近的一侧均固定连接有弧形夹板，所述底板的顶部固定连接有L型固定柱，所述L型固定柱的位置与所述硅晶圆的位置相对应，所述L型固定柱的一侧固定连接有弧形弹力夹块，所述弧形弹力夹块内设有打磨筒，所述打磨筒的顶端设有短接柱，所述短接柱与所述打磨筒的一端固定连接有同一个连接软管。