[发明专利]一种改进型噪声抑制电路

权利要求书

1.一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，所述噪声抑制电路包括缓冲器Buffer1、基准电压调节电路、有源电阻电路和快速响应电路：

缓冲器Buffer1，其正向输入端接输入信号VREF，用于接收降噪前的带隙基准电压VREF；

基准电压调节电路，其输入端连接所述缓冲器Buffer1反向输入端和输出端，用于处理基准电压VREF并生成电压可调的基准电压源VREF1；

有源电阻电路，其输入端连接所述基准电压调节电路输出端，用于接收并处理基准电压调节电路输出的基准电压源VREF1，生成低噪声基准源VREF2；

快速响应电路，其输入端连接所述基准电压调节电路输出端，其输出端连接有源电阻输出端，用于快速建立低噪声基准源VREF2。

2.如权利要求1所述一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，所述噪声抑制电路还包括滤波电容C1，所述滤波电容C1连接有源电阻电路和快速响应电路输出端。

3.如权利要求1所述一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，所述基准电压调节电路由第一NMOS管MN1、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3组成，其中，所述第一NMOS管MN1的漏极分别接第一PMOS管MP1的漏极、第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极，其源极和衬底连接第一电阻R1一端；所述第一PMOS管MP1的源极和衬底连接所述第二PMOS管MP2的源极和衬底，其漏极连接第二电阻R2一端；所述第三电阻R3连接第二电阻R2另一端。

4.如权利要求1所述一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，所述有源电阻电路由电流源I1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5组成，其中，所述电流源I1连接第二NMOS管MN2的漏极和栅极、第三NMOS管MN3的栅极和第四NMOS管MN4的栅极；所述第二NMOS管MN2的源极和衬底、第三NMOS管MN3的源极和衬底和第四NMOS管MN4的衬底接地；所述第四NMOS管MN4的漏极接第三PMOS管MP3的栅极和漏极、第四PMOS管MP4的栅极和第五PMOS管MP5的栅极；所述第五PMOS管MP5的源极连接第四PMOS管MP4的漏极，其漏极连接快速响应电路。

5.如权利要求1所述一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，所述快速响应电路由第五NMOS管MN5、第六PMOS管MP6和反相器INV1组成，其中，所述第五NMOS管MN5的漏极连接第六PMOS管MP6的漏极；所述反相器INV1的输入端连接输入信号VREF2_DET和第五NMOS管MN5的栅极，其输出端接第六PMOS管MP6的栅极。

6.如权利要求1所述一种改进型噪声抑制电路，其特征在于，从VREF1处至VREF2处的噪声衰减程度可以用一个衰减函数来表示：

其中

其中，RNR为MP4和MP5经过电流镜像以后产生的有源电阻等效电阻。