[实用新型]晶圆湿处理工作站

说明书

本揭示提供一种晶圆湿处理工作站，包含浸泡槽、机械手臂、和单晶圆处理设备。晶圆以其板面垂直于水平面的方式浸入预先注满工艺液体的所述浸泡槽内。机械手臂包含保持部和翻转部。所述晶圆保持于所述保持部上。翻转部控制所述保持部相对于所述水平面翻转。通过所述翻转部将所述保持部翻转90度而使得所述晶圆以其板面平行于所述水平面的方式传送。单晶圆处理设备施加清洗液体至浸泡过所述工艺液体的晶圆的所述板面。晶圆湿处理工作站可对晶圆执行浸泡、喷洗等一系列清洗工艺，以实现具有芯片微小化和高密度导线布局的晶圆的清洗。

技术领域

本揭示涉及一种工作站，特别是涉及一种晶圆湿处理工作站。

背景技术

随者半导体元件的微小化(miniaturization)以及芯片的导线连接(interconnection)图案密度的增加，导线逐渐朝向更小线宽与线距(fine line widthand space)方向发展，这使得半导体清洗蚀刻的工艺面临更加严峻的挑战。目前晶圆或基板通常需要进行多道清洗与蚀刻处理工艺才能确保最终清洗蚀刻效果能满足元件的工艺规格需求，尤其在光阻去除(photoresist stripping)、金属剥离(metal lift-off)、以及在晶圆解键合(post wafer de-bonding)之后，晶圆表面的黏着剂层(adhesive layer)与剥离剂层(release layer)的残留物的清洗去除工艺，无法只依赖单一道工艺就完成清洗目的，必须结合晶圆浸泡与单晶圆喷洗设备。

另一方面，一般的晶圆浸泡设备是先将多个晶圆，由入料口经传送装置，将晶圆一次一片传送放置在卡匣后，接着将卡匣向下移动以浸入浸泡槽。经浸泡一段工艺时间后，将卡匣连同所述多个晶圆一起从所述浸泡槽向上移动，以离开浸泡槽。最后，通过持取机构将浸泡后的晶圆逐一地送往下一道工艺。然而，在晶圆浸泡设备中，如果晶圆是采水平放置，在卡匣完全浸泡在浸泡槽内的情况下，持取机构是无法将晶圆个别且单独地取出，必须等到卡匣上升离开浸泡槽之后，持取机构才能进入卡匣取出晶圆。然而，在同一个卡匣中，较先取出的晶圆往往会有浸泡不足的问题，而较后取出的晶圆则容易有浸泡过久而导致晶圆遭受损坏。也就是说，采用水平式晶圆浸泡设备无法精确控制各个晶圆于化学浸泡槽的浸泡时间，容易影响晶圆浸泡工艺的良率。

有鉴于此，有必要提出一种晶圆湿处理工作站，以解决现有技术中存在的问题。

实用新型内容

为解决上述现有技术的问题，本揭示的目的在于提供一种晶圆湿处理工作站，其适用于清洗具有芯片微小化和高密度导线布局的晶圆以去除在先前工艺中附着在晶圆表面的残留物，并且能精确地控制每一片晶圆的化学浸泡的时间。

为达成上述目的，本揭示提供一种晶圆湿处理工作站，包含浸泡槽、卡匣、机械手臂、和单晶圆处理设备。卡匣设置在所述浸泡槽内，包含多个卡槽，且每一所述卡槽放置一晶圆，其中所述多个卡槽沿着水平方向间隔排列，使得所述晶圆以其板面垂直于水平面的方式浸入预先注满工艺液体的所述浸泡槽内。机械手臂包含保持部和翻转部。所述晶圆保持于所述保持部上。翻转部与所述保持部连接，其中所述翻转部控制所述保持部相对于所述水平面翻转，并且通过所述翻转部将所述保持部翻转90度而使得所述晶圆以其板面平行于所述水平面的方式传送。单晶圆处理设备设置在所述浸泡槽的下游，其中浸泡过所述工艺液体的所述晶圆放置在所述单晶圆处理设备，并且所述单晶圆处理设备施加清洗液体至所述晶圆的所述板面。

在一优选实施例中，所述机械手臂的所述保持部包含一对夹持臂和至少一对夹爪。所述对夹持臂彼此间隔设置。所述对夹爪彼此面对设置，其中每一所述夹爪对应设置在其中之一所述夹持臂上，并且每一所述夹爪通过与所述晶圆的边缘接触以将所述晶圆夹持在所述对夹爪之间。

在一优选实施例中，每一所述夹爪包含凹槽，其中所述晶圆固定在所述凹槽内。

在一优选实施例中，所述对夹持臂能相对彼此移动以改变所述对夹持臂之间的距离。