[实用新型]半导体封装防磁结构

权利要求书

1.一种半导体封装防磁结构，其特征在于，包含:

基板，具有上表面和下表面，所述基板具有多个贯穿所述上表面及所述下表面的电连接结构以及在所述上表面及所述下表面之间具有窗口；

第一芯片，具有主动面及背面，所述第一芯片的所述主动面朝下设置在所述基板的所述上表面上，且所述第一芯片的部分所述主动面暴露于所述窗口且部分所述主动面与所述电连接结构电性连接；

第一导线，通过暴露于所述窗口的部分将所述第一芯片的所述主动面与所述基板的所述下表面电性连接；

胶层，设置于所述第一芯片的所述背面上；

第二芯片，设置在所述胶层上，藉由所述胶层使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上；

金属薄膜，设置于所述第二芯片上；

第二导线，分别电性连接所述金属薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上；以及

封装结构，用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二导线、所述金属薄膜、在所述窗口内的所述第一导线及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。

2.如权利要求1所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述第二芯片的尺寸可以大于、小于或是等于所述第一芯片的尺寸。

3.如权利要求1所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述第一芯片为功能芯片以及所述第二芯片为半导体裸片。

4.如权利要求1所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述半导体裸片为硅芯片。

5.如权利要求1所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述基板的所述下表面上还具有多个电性连接结构。

6.如权利要求5所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述电性连接结构为锡球或是晶圆凸块。

7.一种半导体封装防磁结构，其特征在于，包括:

基板，具有上表面和下表面，所述基板具有多个贯穿所述上表面及所述下表面的电连接结构；

第一芯片，具有主动面和背面，且于所述主动面上具有多个焊垫及所述第一芯片的所述背面朝向所述基板的所述上表面设置；

第一导线，分别电性连接所述第一芯片的所述主动面的所述焊垫及所述基板的所述上表面；

胶层，设置在所述第一芯片的所述主动面上且包覆所述第一导线；

第二芯片，设置在所述胶层上；

金属薄膜，设置在所述第二芯片上；

第二导线，电性连接所述金属薄膜的上表面及所述基板的所述上表面；以及

封装结构，设置在所述基板的所述上表面以包覆所述基板的部分所述上表面、所述金属薄膜及所述第二导线。

8.如权利要求7所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述第二芯片的尺寸可以大于、小于或是等于所述第一芯片的尺寸。

9.如权利要求7所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述第一芯片为功能芯片以及所述第二芯片为半导体裸片。

10.如权利要求7所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述半导体裸片为硅芯片。

11.如权利要求7所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述基板的所述下表面上还具有多个电性连接结构。

12.如权利要求11所述的半导体封装防磁结构，其特征在于，所述电性连接结构为锡球或是晶圆凸块。