[实用新型]半导体封装防磁结构有效

专利信息
申请号: 202020004724.4 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN212277193U 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 姜颖宏;林煜能;陈政宏 申请(专利权)人: 福懋科技股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L25/18;H01L23/31
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 董科
地址: 中国台湾云林县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 防磁 结构
【说明书】:

一种半导体封装防磁结构,其特征在于,包含:基板、第一芯片、第一导线、胶层、第二芯片、金属薄膜与第二导线,其中基板具有上表面和下表面以及多个贯穿上表面及下表面的电连接结构,同时在上表面及下表面之间具有一个窗口。第一芯片设有主动面及背面,主动面朝下设置在基板的上表面上,同时第一芯片的部分主动面暴露于窗口中,暴露于窗口的部分主动面与基板的电连接结构电性连接,同时第一导线通过暴露于窗口的部分将主动面与基板的下表面电性连接。接着,胶层设置于第一芯片的背面上,然后第二芯片设置在胶层上,藉由胶层使第二芯片固定在第一芯片的背面上。金属薄膜设置于第二芯片上,以及第二导线同时电性连接金属薄膜的上表面及基板的上表面上。

技术领域

实用新型是关于一种半导体封装结构,特别是关于一种半导体封装防磁结构。

背景技术

小尺寸的集成电路封装单元一般是以成批方式建构于单一个矩阵式基底上;此矩阵式基底是预先定义出多个封装区域,其中每一个封装区域即用以建构一个封装单元。于完成封装胶体制程之后,接着即可进行一分割程序(singulation process),用以将矩阵式基底上所建构的封装单元总合结构体分割成个别的封装单元。以此种方式制造的封装单元例如包括薄型球栅数组式(Thin Fine Ball Grid Array, TFBGA)封装单元、四边形平面无导脚式(Quad Flat No-lead, QFN)封装单元等等。

电磁干扰是一种电磁现象,一些电器、电子设备工作时所产生的电磁波,容易对周围的其他电气、电子设备形成电磁干扰,引发故障或者影响信号的传输。而且,过度的电磁干扰会形成电磁污染,危害周遭人们的身体健康。随着设备与结构的演进,要达到能够正常工作而不会相互发生电磁干扰造成性能改变和设备损坏的这种相互兼容的状态越来越难。为了使整体达到电磁兼容,必须以整体的电磁环境为依据,要求每个用电设备不产生超过一定限度的电磁发射,同时又要求用电设备本身要具备一定的抗干扰能力。只有对每一个用电设备都作出这两个方面的约束和改进,才能保证整体达到完全兼容。

实用新型内容

为克服上述集成电路封装单元受到电磁干扰的问题,现提供一种半导体封装防磁结构。

具体技术方案如下:

一种半导体封装防磁结构,包含:

基板,具有上表面和下表面,所述基板具有多个贯穿所述上表面及所述下表面的电连接结构以及在所述上表面及所述下表面之间具有窗口;

第一芯片,具有主动面及背面,所述第一芯片的所述主动面朝下设置在所述基板的所述上表面上,且所述第一芯片的部分所述主动面暴露于所述窗口且部分所述主动面与所述电连接结构电性连接;

第一导线,通过暴露于所述窗口的部分将所述第一芯片的所述主动面与所述基板的所述下表面电性连接;

胶层,设置于所述第一芯片的所述背面上;

第二芯片,设置在所述胶层上,藉由所述胶层使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上;

金属薄膜,设置于所述第二芯片上;

第二导线,分别电性连接所述金属薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上;以及

封装结构,用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二导线、所述金属薄膜、在所述窗口内的所述第一导线及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。

另一种半导体封装防磁结构,包含:

基板,具有上表面和下表面,所述基板具有多个贯穿所述上表面及所述下表面的电连接结构;

第一芯片,具有主动面和背面,且于所述主动面上具有多个焊垫及所述第一芯片的所述背面朝向所述基板的所述上表面设置;

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