[实用新型]一种分流式CVD沉积室有效
申请号: | 202020006486.0 | 申请日: | 2020-01-02 |
公开(公告)号: | CN211713196U | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 白秋云 | 申请(专利权)人: | 成都超纯应用材料有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/32 |
代理公司: | 成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217 | 代理人: | 潘育敏 |
地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分流 cvd 沉积 | ||
1.一种分流式CVD沉积室,其特征在于,包括中空沉积筒和进气室,所述进气室设于所述沉积筒的底部,所述沉积筒内设有隔板,通过所述隔板将所述沉积筒分为上腔室和下腔室;
所述上腔室包括用于固定预制件的第二固定筒,所述第二固定筒的底部与所述隔板之间连接;
所述下腔室包括引流筒和用于固定预制件的第一固定筒,所述引流筒的直径大于所述第一固定筒的直径,所述第一固定筒的一端与所述下腔室底部固定连接,所述第一固定筒的另一端与所述隔板之间留有气体流通的第一通道,所述引流筒的一端与所述隔板固定连接,所述引流筒的另一端与所述下腔室底部之间留有气体流通的第二通道;
所述进气室内设有将气体输送至沉积筒的进气管,所述沉积筒内设有与所述进气管连接的输气组件,所述输气组件包括上排气室、主气室、从气管和引流管,所述上排气室置于所述上腔室内,所述主气室和所述从气管设于下腔室内,所述引流管的底部和所述从气管均设于所述主气室的上部,且均与所述主气室连通,所述引流管的顶部还与所述上排气室连通,所述上排气室和所述从气管上均设有排气孔。
2.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室,其特征在于,所述主气室呈圆柱体,所述从气管呈圆锥体。
3.根据权利要求2所述的分流式CVD沉积室,其特征在于,所述上排气室底部与所述隔板连接,所述主气室设于所述下腔室底部。
4.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室,其特征在于,所述沉积筒顶部设有第一抽气口,所述隔板上设有通气孔,所述通气孔靠近所述沉积筒;所述第一抽气口能够抽取出所述上腔室和所述下腔室内的气体。
5.根据权利要求1所述的分流式CVD沉积室,其特征在于:所述沉积筒上设有第一抽气口和第二抽气口,所述第一抽气口设于所述沉积筒的顶部,用于抽取上腔室内的气体,所述第二抽气口设于所述沉积筒的底部,用于抽取下腔室内的气体。
6.根据权利要求1~5任一项所述的分流式CVD沉积室,其特征在于,所述隔板上设有多个安装槽,每个安装槽的直径不同,以使能够安装不同直径的第二固定筒。
7.根据权利要求6所述的分流式CVD沉积室,其特征在于,所述引流管的顶部伸出所述上排气室,所述引流管顶部设有排气孔。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的