[实用新型]一种分流式CVD沉积室

说明书

本发明提供一种分流式CVD沉积室，涉及复合材料制备的技术领域，包括沉积筒和进气室，沉积筒内设有隔板，隔板将沉积筒分为上腔室和下腔室；上腔室包括第二固定筒，第二固定筒的底部与隔板之间连接；下腔室包括引流筒和第一固定筒，第一固定筒的另一端与隔板之间留有气体流通的第一通道，引流筒的另一端与下腔室底部之间留有气体流通的第二通道；进气室内设有进气管，沉积筒内设有与进气管连接的输气组件，输气组件包括上排气室、主气室、从气管和引流管，上排气室置于上腔室内，主气室和从气管设于下腔室内，引流管的底部和从气管设于主气室的上部，且均与主气室连通，引流管的顶部还与上排气室连通，上排气室和从气管上均设有排气孔。

技术领域

本发明涉及复合材料制备的技术领域，具体而言，涉及一种分流式CVD沉积室。

背景技术

化学气相沉降室半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料，CVD技术将炭源气体通入高温热解炉中热解，热解炭通过扩散和对流等机理，沉积在碳纤维预制件上增密的过程。

现有专利CN205999479分流式沉积室，该专利主要解决的技术问题是：预制件在沉积室内并不是均匀分布，尤其是针对高层的预制件，不能充分增密，该专利通过分流的方式来进行均匀的增密，该专利通过分气板进行分流，这样虽然使得部分气体能够选择性的进入高层，但是大部分气体依然存在底层，高层还是只能部分进入，从而也使得高层依然不能均匀的增密，上述专利在底层通过增密后，气体再通过真气泵抽走，上述设置的结构，不能将增密后的气体与增密前的气体分开，底层增密后的气体继续向上，也将会影响上层预制件的增密。

发明内容

本发明的目的在于提供一种分流式CVD沉积室，用以实现均匀增密预制件的技术效果。

本发明通过以下技术方案实现：包括中空沉积筒和进气室，所述进气室设于所述沉积筒的底部，所述沉积筒内设有隔板，通过所述隔板将所述沉积筒分为上腔室和下腔室；

所述上腔室包括用于固定预制件的第二固定筒，所述第二固定筒的底部与所述隔板之间连接；

所述下腔室包括引流筒和用于固定预制件的第一固定筒，所述引流筒的直径大于所述第一固定筒的直径，所述第一固定筒的一端与所述下腔室底部固定连接，所述第一固定筒的另一端与所述隔板之间留有气体流通的第一通道，所述引流筒的一端与所述隔板固定连接，所述引流筒的另一端与所述下腔室底部之间留有气体流通的第二通道；

所述进气室内设有将气体输送至沉积筒的进气管，所述沉积筒内设有与所述进气管连接的输气组件，所述输气组件包括上排气室、主气室、从气管和引流管，所述上排气室置于所述上腔室内，所述主气室和所述从气管设于下腔室内，所述引流管的底部和所述从气管均设于所述主气室的上部，且均与所述主气室连通，所述引流管的顶部还与所述上排气室连通，所述上排气室和所述从气管上均设有排气孔。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述主气室呈圆柱体，所述从气管呈圆锥体。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述上排气室底部与所述隔板连接，所述主气室设于所述下腔室底部。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述沉积筒顶部设有第一抽气口，所述隔板上设有通气孔，所述通气孔靠近所述筒体；所述第一抽气口能够抽取出所述上腔室和所述下腔室内的气体。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述沉积筒上设有第一抽气口和第二抽气口，所述第一抽气口设于所述沉积筒的顶部，用于抽取上腔室内的气体，所述第二抽气口设于所述沉积筒的底部，用于抽取下腔室内的气体。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述隔板上设有多个安装槽，每个安装槽的直径不同，以使能够安装不同直径的第二固定筒。

为了更好的实现本发明，进一步的，所述引流管的顶部伸出所述上排气室，所述引流管顶部设有排气孔。