[实用新型]一种双向可控硅低温触发装置

权利要求书

1.一种双向可控硅低温触发装置，其特征在于：所述双向可控硅低温触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路；所述光电耦合器电路由光耦IC1构成，所述共射极放大器电路由晶体管T1及电阻R1构成，光耦IC1内部的光敏三极管的集电极连接晶体管T1的基极、光敏三极管的发射极连接晶体管T1的集电极，电阻R3连接降压电容C₂构成所述市电降压电路，所述220V市电电路的P1端经所述市电降压电路降压，二极管D1构成所述整流电路，电解电容C1构成所述滤波电路，稳压二极管D2构成所述稳压电路，电容C2的下端同时连接二极管D1的负端以及稳压二极管D2的正端，二极管D1的正端同时连接晶体管T1的发射极以及电容C1的负端，由双向可控硅Triac、电阻R4、电容C3构成所述双向可控硅电路，晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的所述限流电路连接可控硅Triac的栅极，220V市电通过电阻R_L构成的所述负载电路连接双向可控硅Triac的第一阳极A1，电容C1的正端、二极管D2的负端、双向可控硅Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端。

2.根据权利要求1所述的一种双向可控硅低温触发装置，其特征在于：所述共射极放大器电路,晶体管T1的基极与发射极之间连接电阻R1。

3.根据权利要求1所述的一种双向可控硅低温触发装置，其特征在于：所述双向可控硅电路的Triac的第一阳极A1与第二阳极A2之间依次连接电阻R4、电容C3。