[实用新型]一种双向可控硅低温触发装置

说明书

本实用新型公开了一种双向可控硅低温触发装置的技术，该触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路；光电耦合器电路的输出连接共射极放大器电路，220V市电的P1端经降压电路降压、整流电路整流、滤波电路滤波、稳压二极管稳压为晶体管T1供电，晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的限流电路连接可控硅Triac的栅极，220V市电通过R_L连接Triac的第一阳极A1，电容C1的正端、二极管D2的负端、Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端，构成一个双向可控硅低温触发装置。

技术领域

本实用新型涉及一种双向可控硅低温触发装置的技术，双向可控硅在低温时不容易被触发，在光耦与可控硅之间添加一个共射极放大器，光耦输出的触发信号经共射极放大器放大后，可以很轻易地触发各类可控硅，甚至低端光耦也可以触发较大功率的可控硅。

背景技术

实际工作中所用的各类电子元器件，都有一个众所周知的缺点：对温度变化非常敏感，特别是半导体器件如二极管、三极管、场效应管等，这些半导体器件的静态工作参数会随着环境温度的变化而变化，导致被放大信号的失真，这是一个必须解决的问题，所幸这种“温漂”现象已有多种手段可以解决。

事实表明，三端双向可控硅器件工作于开关模式时，它也有一个与温度有关的缺点，就是它不能工作于低温，在环境温度较低时双向可控硅可能无法正常被触发，导致可控硅不能导通、只会保持截止状态，这是由于三端双向可控硅组成的固态开关在低温时，其栅极需要一个幅值较高的开启（或开门）电流，才可以触发三端双向可控硅，使其第一阳极与第二阳极导通。

双向可控硅通常用光电耦合器触发，这是一种最常用的可控硅触发电路，但一般的光电耦合器不能提供大触发电流（虽然有些高端光耦能够提供较高的输出电流，但价格较昂贵）。

可以将低端光耦输出的小电流触发信号经一个共射极放大器实现电流放大，共射极放大器导通时产生的较大导通电流工作于双向可控硅的栅极，可控硅被触发，采用此种方法，低端光电耦合器也可实现大功率高端光电耦合器的效能。

对于气温非常寒冷的环境，既使高端光耦也可能不能被触发，因此采用这种方案同样可以加强电气设备的环境适应能力。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、新颖、使用方便、可靠的不同于常规可控硅触发电路的装置。

为实现上述目的，本实用新型提供一种双向可控硅低温触发装置，其特征在于，所述低温触发装置包括光电耦合器电路、共射极放大器电路、220V市电电路、市电降压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路、限流电路、双向可控硅电路、负载电路；所述光电耦合器电路由光耦IC1构成，所述共射极放大器电路由晶体管T1及电阻R1构成，光耦IC1内部的光敏三极管的集电极连接晶体管T1的基极、光敏三极管的发射极连接晶体管T1的集电极，电阻R3连接降压电容C₂构成所述市电降压电路，所述220V市电电路的P1端经所述市电降压电路降压，二极管D1构成所述整流电路，电解电容C1构成所述滤波电路，稳压二极管D2构成所述稳压电路，电容C2的下端同时连接二极管D1的负端以及稳压二极管D2的正端，二极管D1的正端同时连接晶体管T1的发射极以及电容C1的负端，由双向可控硅Triac、电阻R4、电容C3构成所述双向可控硅电路，晶体管T1的集电极通过由电阻R2构成的所述限流电路连接可控硅Triac的栅极，220V市电通过电阻R_L构成的所述负载电路连接双向可控硅Triac的第一阳极A1，电容C1的正端、二极管D2的负端、双向可控硅Triac的第二阳极A2同时连接220V市电电路的P2端。所述电容降压电路由电容C1与电阻R2并联组成。

所述共射极放大器电路,晶体管T1的基极与发射极之间连接电阻R1。

所述双向可控硅电路的Triac的第一阳极A1与第二阳极A2之间依次连接电阻R4、电容C3。