[实用新型]一种CVD碳化硅进气系统

说明书

本实用新型涉及CVD碳化硅生产技术领域，尤其是一种CVD碳化硅进气系统，包括反应腔和混气罐，所述混气罐一侧固定连通有三个供气管，所述混气罐另一侧固定连通有进气管，所述反应腔一侧设置有真空泵，所述反应腔上还固定连通有出气管，所述反应腔外侧壁上呈周向均匀地固定连接有若干个固定机构，若干个所述固定机构上固定连接有通气管道，且所述通气管道缠绕在所述反应腔外侧壁上，所述进气管与所述通气管道之间相互连通，所述通气管道内侧呈周向均匀地固定连通有三个进气口，且三个所述进气口均分别与所述反应腔相连通。该CVD碳化硅进气系统通过多孔进气的方式，从而能够有效地解决了工件表面cvd沉积厚度不均匀的问题，实用性强。

技术领域

本实用新型涉及CVD碳化硅生产技术领域，尤其涉及一种CVD碳化硅进气系统。

背景技术

传统的cvd碳化硅生产工艺复杂，进气端由氢气、氩气、以及MTS三种气源同时进入混合罐混合好之后再进入反应腔体开始反应，生成sic；传统的进气系统即将三路气体经混气罐混合均匀后通过一个入口通入反应腔进行反应，但经过长期的生产发现，该通气方法存在很大弊端，即cvd碳化硅沉积厚度从进气端到出气端呈现一定的梯度变化，该变化的产生是由于反应气体在反应腔体中边流动边反应，越靠近排气端，反应气体浓度越低，这严重影响工件表面碳化硅沉积厚度的均匀性。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的现有的碳化硅进气系统会造成工件表面碳化硅沉积厚度不均匀的缺点，而提出的一种CVD碳化硅进气系统。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种CVD碳化硅进气系统，包括反应腔和混气罐，所述混气罐一侧固定连通有三个供气管，所述混气罐另一侧固定连通有进气管，所述反应腔一侧设置有真空泵，所述反应腔上还固定连通有出气管，所述反应腔外侧壁上呈周向均匀地固定连接有若干个固定机构，若干个所述固定机构上固定连接有通气管道，且所述通气管道缠绕在所述反应腔外侧壁上，所述进气管与所述通气管道之间相互连通，所述通气管道内侧呈周向均匀地固定连通有三个进气口，且三个所述进气口均分别与所述反应腔相连通。

优选的，所述固定机构包括安装块，所述安装块固定连接在所述反应腔的外侧壁上，所述安装块一端固定连接有下夹板，所述下夹板一端固定连接有第一紧固板，所述下夹板上端铰接有上夹板，且所述上夹板和所述下夹板之间为相对设置，所述上夹板一端固定连接有第二紧固板，且所述第一紧固板和所述第二紧固板之间通过螺栓固定连接在一起，所述通气管道设置在所述下夹板和所述上夹板之间。

优选的，所述下夹板和所述上夹板的内表面上均分别粘接有保护层。

优选的，所述下夹板和所述上夹板均为弧形结构件。

本实用新型提出的一种CVD碳化硅进气系统，有益效果在于：该CVD碳化硅进气系统的进气端由氢气、氩气、以及MTS三种气源分别通过三个供气管进入到混气罐中进行混合，三路气体经混气罐混合均匀后，混合气体会通过进气管进入到通气管道中，接着，混合气体会通过通气管道上的三个进气口进入到反应腔中开始进行反应，从而能够使得混合气体可以均匀地分散到反应腔中，能够使得混合气体在反应腔内部的浓度较为地均匀，进而能够有效地避免工件表面cvd碳化硅沉积厚度不均匀的问题。因此，本设计通过采用多孔进气的方式，通过在反应腔外部缠绕通气管道，将进气分为几个入口通气，分别在反应腔的前端，中端及尾端通气，从而能够有效地解决了工件表面cvd沉积厚度不均匀的问题。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种CVD碳化硅进气系统的结构示意图。

图2为图1中的部分结构俯视图。

图3为图1和图2中的固定机构的结构示意图。