[实用新型]半导体器件结构

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

半导体材料区域，所述半导体材料区域包括：

第一导电类型；

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相对；

有源区域；以及

终端区域；

有源结构，所述有源结构设置在所述有源区域中并包括：

第一有源沟槽，所述第一有源沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第一深度；以及

第一导电结构，所述第一导电结构在所述第一有源沟槽内并通过第一电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中所述第一有源沟槽具有靠近所述第一主表面的第一宽度；

终端结构，所述终端结构设置在所述终端区域中并包括：

第一终端沟槽，所述第一终端沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第二深度；

第二导电结构，所述第二导电结构在所述第一终端沟槽内并通过第二电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中：

所述第一终端沟槽包括：

靠近所述第一主表面的第二宽度；

第一侧表面；

第二侧表面，所述第二侧表面与所述第一侧表面相对；以及

第一下表面，所述第一下表面在所述第一侧表面和所述第二侧表面之间延伸；

所述第一侧表面插置在所述第二侧表面和所述第一有源沟槽之间；以及

所述第二导电结构包括：

第一导电间隔部，所述第一导电间隔部设置成靠近所述第一终端沟槽的所述第一侧表面；以及

第二导电间隔部，所述第二导电间隔部设置成靠近所述第一终端沟槽的所述第二侧表面；以及

电介质层，所述电介质层设置成覆盖所述第一主表面的一部分并与所述第一导电间隔部重叠并与所述第二导电间隔部重叠；

肖特基接触结构，所述肖特基接触结构邻近所述第一主表面设置在所述第一有源沟槽的相对侧上；

第一掺杂区域，所述第一掺杂区域在所述半导体材料区域中与所述第一终端沟槽的第一侧表面邻近并从所述第一主表面延伸至第三深度；

第二掺杂区域，所述第二掺杂区域在所述半导体材料区域中与所述第一终端沟槽的第二侧表面邻近并从所述第一主表面延伸至第四深度；以及

第一导电层，所述第一导电层设置成覆盖所述第一主表面并电耦合到所述肖特基接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，

所述第一导电层设置成覆盖所述第二掺杂区域；以及

所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域包括与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，

所述肖特基接触结构在所述第一掺杂区域的至少一部分中；

所述第一掺杂区域电耦合至所述第一导电层；以及

所述第二掺杂区域是电浮动的。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，

所述电介质层包括靠近所述第一终端沟槽的所述第一下表面设置的开口；

所述第一导电层进一步电耦合至邻近所述开口的所述半导体材料区域；以及

所述肖特基接触结构的一部分设置在邻近所述开口的所述半导体材料区域内。