[实用新型]半导体器件结构

说明书

本实用新型题为“半导体器件结构”。半导体器件结构包括具有有源区域和终端区域的半导体材料区域。有源结构设置在所述有源区域中，并且终端结构设置在所述终端区域中。在一个实施方案中，所述终端结构包括终端沟槽和在所述终端沟槽内的导电结构，并且通过电介质结构与所述半导体材料区域电隔离。电介质层设置成与所述终端沟槽重叠，以提供所述终端结构作为浮动结构。肖特基接触区域设置在所述有源区域内。导电层电连接到所述肖特基接触区域，并且所述第一导电层延伸到所述电介质层的表面上并与所述终端沟槽的至少一部分横向重叠。

相关申请的交叉引用

本申请是申请日为2019年04月24日，申请号为“201920573186.8”的题为“半导体器件结构”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型整体涉及半导体器件结构。

背景技术

肖特基器件是表现出低正向电压降和非常快速切换动作的一种半导体器件类型。与常规PN结二极管相比，较低的正向电压降转化为以热形式耗散掉的较少的能量，从而提供改善的系统效率和更高的切换速度。这使得肖特基器件更适合需要更高效功率管理的应用。此类应用包括无线和汽车设备、用于LCD/小键盘背光的升压转换器、发动机控制器、汽车照明、充电电路以及其他较小和较大的信号应用。

随着要求进一步改善这些应用和其他应用中的电池寿命，市场需要更高效的设备，诸如具有较低功率耗散、较高功率密度和较小管芯尺寸的肖特基器件。一些肖特基器件使用绝缘沟槽门控结构形成，其在一些区域具有改善的性能。现有绝缘沟槽栅肖特基器件通常使用带有多晶硅间隔部(其中多晶硅间隔部至少之一与阳极电极电连接)的单个宽终端沟槽作为终端结构，这对于大多数器件来说可能易于实现。例如，可以在单个掩模步骤中与有源沟槽同时形成用于终端结构的宽终端沟槽。然而，随着包括绝缘沟槽栅肖特基器件在内的功率器件的器件几何形状持续缩小，在提供最佳击穿电压和避免与电连接到多晶硅间隔部相关联的光刻对准问题方面存在某些挑战。

因此，期望具有终端结构和用于形成半导体器件的终端结构的方法，诸如支持较小几何形状并克服与现有结构相关联的问题的绝缘沟槽栅肖特基器件。此外，所述结构和方法具有成本效益且易于整合到已有的工艺流程中也是有益的。此外，与现有结构相比，提供设计灵活性和相等或更好的电性能的结构和方法也是有益的。

发明内容

在一方面，提供了一种半导体器件结构，包括：

半导体材料区域，所述半导体材料区域包括：

第一导电类型；

第一主表面；

第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相对；

有源区域；以及

终端区域；

有源结构，所述有源结构设置在所述有源区域中并包括：

第一有源沟槽，所述第一有源沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第一深度；以及

第一导电结构，所述第一导电结构在所述第一有源沟槽内并通过第一电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中所述第一有源沟槽具有靠近所述第一主表面的第一宽度；

终端结构，所述终端结构设置在所述终端区域中并包括：

第一终端沟槽，所述第一终端沟槽从所述第一主表面延伸到所述半导体材料区域中至第二深度；

第二导电结构，所述第二导电结构在所述第一终端沟槽内并通过第二电介质结构与所述半导体材料区域电隔离，其中：

所述第一终端沟槽包括：

靠近所述第一主表面的第二宽度；

第一侧表面；