[实用新型]一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构有效
| 申请号： | 202020036098.7 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN210837744U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王海青;许贵铮;刘伟强;刘杰丰;李章夏;陈泽龙 | 申请（专利权）人： | 深圳市高特微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区新安街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sod 系列 大功率 超低容值 静电 防护 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：它包含金属引线框架（1）、一号静电防护芯片（2）、二号静电防护芯片（3）、三号静电防护芯片（4）、金属导线（6）、环氧树脂塑料塑封（7）；金属引线框架（1）设置在环氧树脂塑料塑封（7）内，金属引线框架（1）的引脚露设在环氧树脂塑料塑封（7）的外侧，一号静电防护芯片（2）和三号静电防护芯片（4）电性连接固定在金属引线框架（1）左侧的焊盘上表面的上下两侧，二号静电防护芯片（3）电性连接固定在金属引线框架（1）右侧的焊盘上；三号静电防护芯片（4）利用金属导线（6）与位于右侧的金属引线框架（1）的上表面下侧电性连接；一号静电防护芯片（2）与二号静电防护芯片（3）之间利用金属导线（6）电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：所述的一号静电防护芯片（2）的正面开窗处均设有金属球（5），连接一号静电防护芯片（2）和二号静电防护芯片（3）的金属导线（6）的一端与上述金属球（5）电性连接，该金属导线（6）的另一端与二号静电防护芯片（3）电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，其特征在于：该封装结构的尺寸为长2.6×宽1.3×高1.0mm。
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