[实用新型]一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构

说明书

一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，本实用新型涉及电子芯片技术领域，金属引线框架设置在环氧树脂塑料塑封内，金属引线框架的引脚露设在环氧树脂塑料塑封的外侧，一号静电防护芯片和三号静电防护芯片电性连接固定在金属引线框架左侧的焊盘上表面的上下两侧，二号静电防护芯片电性连接固定在金属引线框架右侧的焊盘上；三号静电防护芯片利用金属导线与位于右侧的金属引线框架的上表面下侧电性连接；一号静电防护芯片与二号静电防护芯片之间利用金属导线电性连接。有效降低器件的体积及成本，符合电子产品轻薄小巧的需求，通信集成电路免受电磁/静电干扰或损坏，且能通过雷击测试认证。

技术领域

本实用新型涉及电子芯片技术领域，具体涉及一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构。

背景技术

电子产品中通信集成电路的集成度越来高，电磁或静电干扰对通信集成电路越为敏感，因此静电防护芯片成为了通信集成电路常见的搭配器件；考虑到电子产品需要使用大功率静电防护二极管来通过雷击测试认证及通信集成电路的通信速率越来越高，要求其通信线路上的寄生电容必须小于1pF,甚至更低；再者，现行电子产品轻薄小巧，对其零部件的体积要求越小越好。因此，有必要提出一种新的大功率超低容值静电防护芯片封装结构。

发明内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种设计合理的SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，有效降低器件的体积及成本，符合电子产品轻薄小巧的需求，通信集成电路免受电磁/静电干扰或损坏，且能通过雷击测试认证。

为达到上述目的，本实用新型采用了下列技术方案：它包含金属引线框架、一号静电防护芯片、二号静电防护芯片、三号静电防护芯片、金属导线、环氧树脂塑料塑封；金属引线框架设置在环氧树脂塑料塑封内，金属引线框架的引脚露设在环氧树脂塑料塑封的外侧，一号静电防护芯片和三号静电防护芯片电性连接固定在金属引线框架左侧的焊盘上表面的上下两侧，二号静电防护芯片电性连接固定在金属引线框架右侧的焊盘上；三号静电防护芯片利用金属导线与位于右侧的金属引线框架的上表面下侧电性连接；一号静电防护芯片与二号静电防护芯片之间利用金属导线电性连接。

进一步地，所述的一号静电防护芯片的正面开窗处均设有金属球，连接一号静电防护芯片和二号静电防护芯片的金属导线的一端与上述金属球电性连接，该金属导线的另一端与二号静电防护芯片电性连接。

进一步地，所述的封装结构的尺寸为长2.6×宽1.3×高1.0mm。

采用上述结构后，本实用新型的有益效果是：本实用新型提供了一种SOD系列大功率超低容值静电防护芯片封装结构，有效降低器件的体积及成本，符合电子产品轻薄小巧的需求，通信集成电路免受电磁/静电干扰或损坏，且能通过雷击测试认证。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图。

附图标记说明：

金属引线框架1、一号静电防护芯片2、二号静电防护芯片3、三号静电防护芯片4、金属球5、金属导线6、环氧树脂塑料塑封7。

具体实施方式：

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。