[实用新型]一种可调式磁场装置

说明书

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体来说是一种可调式磁场装置，包括冷却块、磁铁支架、磁铁盖板、圆形磁铁和磁控固定板，其特征在于：所述冷却块由槽形内框体组成，所述冷却块内部设有磁铁支架，所述磁铁支架内部设有若干圆形磁铁，所述磁铁支架上端设有磁铁盖板，所述磁铁盖板上端设有磁控固定板，磁铁支架与磁控固定板采用轻便的材质使得整体更换与调节更为方便，且铝材与塑料也杜绝了生锈带来的各种问题，通过改动圆形磁铁的数量来改变每个电磁场方向和磁通量的大小，从而提高了沉积速度，增加了镀膜的稳定性，满足了工艺稳定等问题，使得镀膜的厚度更加均匀，本实用新型不但提高了靶材的利用率，降低了设备的投入成本。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体来说是一种可调式磁场装置。

背景技术

磁控溅射属于物理气相沉积技术，相对于电弧离子镀技术，磁控溅射受磁场布置方式的影响，其溅射速率和溅射区域随磁场变化都有很大变化，目前，磁控溅射由于其沉积温度低、制备的薄膜表面光滑、结合力高等优势，在光学镀膜、医学镀膜、汽车零部件及其他机械零部件表面镀膜领域被广泛应用。

现有的磁控溅射阴极一般包括磁轭、磁铁、靶面和阳极组成，传统的磁铁布置通常为3列磁铁间隔布置于磁轭上，外部磁场和中新磁场呈反方向排列形成闭合磁场，当有外加电场时，电场和磁场形成正交场，电子被约束在磁场附近，形成高的等离子离化区域，将靶材料溅射出来，正离子被推出溅射区域，在工件附近形成薄膜。

但是，在直流磁控溅射中，半导体WLP先进封装技术中需要使用磁控溅射机台进行wafer表面进行Ti和Cu的真空镀膜，其中阴极靶材背面安装的磁通管的磁场分布影响了膜厚的均匀性，由于磁通管内的磁场分布已经固定，无法改变磁场的方向和调节磁铁的磁通量大小，从而导致镀膜时的沉积速率低和工艺不稳定等问题，这些已经为目前急需要解决的问题之一。

实用新型内容

本实用新型的目的在于解决现有技术的不足，提供一种可调式磁场装置。

为了实现上述目的，设计一种可调式磁场装置，包括冷却块、磁铁支架、磁铁盖板、圆形磁铁和磁控固定板，其特征在于：所述冷却块由槽形内框体组成，所述冷却块内部设有磁铁支架，所述磁铁支架内部设有若干圆形磁铁，所述磁铁支架上端设有磁铁盖板，所述磁铁盖板上端设有磁控固定板。

进一步的，所述冷却块包括进水口、出水口、第一气密密封槽、第二气密密封槽、水槽、抽气孔、中心磁铁支架槽、第一长条磁铁支架槽、第二长条磁铁支架和端部磁铁支架槽，所述冷却块内框中心位置设有中心磁铁支架槽，所述中心磁铁支架槽上下两侧分别设有第一长条磁铁支架槽与第二长条磁铁支架，所述中心磁铁支架槽左侧设有进水口，所述中心磁铁支架槽右侧设有出水口，所述进水口与出水口外侧设有端部磁铁支架槽，所述冷却块正反两面边缘分别设有第一气密密封槽与第二气密密封槽，所述冷却块反面第二气密密封槽内圈设有水槽，所述冷却块四周均匀分布若干抽气孔。

进一步的，所述磁铁支架包括中心磁铁支架、第一长条磁铁支架、第二长条磁铁支架和端部磁铁支架，所述中心磁铁支架设于中心磁铁支架槽上端，所述第一长条磁铁支架设于第一长条磁铁支架槽上端，所述第二长条磁铁支架设于第二长条磁铁支架槽上端。

进一步的，所述圆形磁铁每五块组成一个阴极。

进一步的，所述磁控固定板为POM材质。

进一步的，所述磁铁盖板为SS400材质

进一步的，所述冷却块为316L材质。

进一步的，所述磁铁支架为A6082材质。