[实用新型]一种高压快恢复二极管芯片

权利要求书

1.一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：包括芯片本体，所述芯片本体包裹在热熔胶内，所述热熔胶包裹在封装外壳内，所述封装外壳由金属材料制成，所述封装外壳的内部设有散热组件，所述散热组件包括多个散热杆，多个散热杆呈辐射状固定在所述芯片本体上，所述散热杆的另一端抵触在所述封装外壳的内壁，所述散热杆与所述芯片本体的端部上包裹有绝缘膜，所述散热杆的内部中空且所述散热杆的内部填充有冰晶混合物。

2.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述封装外壳的壳壁呈双层结构且所述封装外壳的壳壁的内部设有容纳腔，所述容纳腔与所述散热杆的内部连通，所述容纳腔的内部也填充有冰晶混合物。

3.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述散热杆至少设有四根。

4.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述金属材料为贴片或者铜片中的一种，所述封装外壳的表面涂覆有绝缘涂层。

5.根据权利要求4所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述绝缘涂层包括电隔离层和粘合层，所述粘合层涂覆在封装外壳的外表面，所述电隔离层涂覆在所述粘合层的外表面，所述电隔离层为PFA塑料制成的电隔离层，所述电隔离层为单层膜结构、双层膜结构或多层膜结构。