[实用新型]一种新型低气压磁控溅射靶有效
申请号: | 202020063293.9 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN211497772U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 周焱文 | 申请(专利权)人: | 武汉普迪真空科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 周琼 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 气压 磁控溅射 | ||
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,尤其是一种新型低气压磁控溅射靶,包括框架,框架的外侧与固定机构的连接处固定连接有第二绝缘垫,框架的两侧下部均固定连接有支撑机构,支撑机构的上端固定连接有伸缩气缸,伸缩气缸的上端固定连接有连接座,连接座的上端固定连接有固定块,固定块的一侧固定连接有第一固定架,第一固定架上固定连接有若干个磁铁块,第一固定架的上端固定连接有固定板,固定板的上端固定连接有第二固定架。本实用新型通过伸缩气缸通电启动后带动第一固定架上下移动,磁铁块上下移动,磁铁块在靶材表面所产生的磁场在靶材表面来回移动,使得刻蚀区域变宽,大大提高了靶材的利用率。
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,尤其涉及一种新型低气压磁控溅射靶。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。因为是在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率,磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
磁控溅射技术广泛应用集成电路、半导体照明、微机电系统、先进封装等领域,传统的磁控溅射技术靶材底部磁铁固定,一般刻蚀面为一条很窄的跑道靶材的利用率非常低,造成材料的浪费。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在靶材的利用率非常低的缺点,而提出的一种新型低气压磁控溅射靶。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
设计一种新型低气压磁控溅射靶,包括框架,所述框架的一侧固定连接有第一绝缘垫,所述框架的两侧均连接有固定机构,所述框架通过所述固定机构连接有靶背板,所述第一绝缘垫位于所述靶背板与所述靶背板之间,所述靶背板的一侧固定连接有靶材板,所述框架的外侧与所述固定机构的连接处固定连接有第二绝缘垫,所述框架的两侧下部均固定连接有支撑机构,所述支撑机构的上端固定连接有伸缩气缸,所述伸缩气缸的上端固定连接有连接座,所述连接座的上端固定连接有固定块,所述固定块的一侧固定连接有第一固定架,所述第一固定架上固定连接有若干个磁铁块,每个所述磁铁块的一侧均与所述框架相接触,所述第一固定架的上端固定连接有固定板,所述固定板的上端固定连接有第二固定架,所述第二固定架固定连接所述磁铁块。
优选的,所述第一绝缘垫的一侧固定连接有若干个凸起。
优选的,所述固定机构包括固定夹板,所述固定夹板的一侧挤压所述靶背板,所述固定夹板上固定连接有螺栓,所述螺栓的一端延伸至所述框架上。
优选的,所述支撑机构包括两个连接板,每个所述连接板的一端均固定在所述框架上,两个所述支撑板之间固定连接有支撑板,所述伸缩气缸固定在所述支撑板上。
优选的,所述第一绝缘垫与所述第二绝缘垫均位于橡胶垫。
优选的,所述固定块、所述第一固定架、所述固定板与所述第二固定架为一体结构。
本实用新型提出的一种新型低气压磁控溅射靶,有益效果在于:
通过伸缩气缸通电启动后带动第一固定架上下移动,磁铁块固定在第一固定架上,随着第一固定架上下移动,磁铁块在靶材板所产生的磁场在靶材表面来回移动,使得刻蚀区域变宽,不会产生固定形状的刻蚀沟,大大提高了靶材的利用率。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种新型低气压磁控溅射靶的结构示意图一;
图2为本实用新型提出的一种新型低气压磁控溅射靶的结构示意图二;
图3为本实用新型提出的一种新型低气压磁控溅射靶的结构示意图三。
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