[实用新型]一种半导体晶圆表面研磨保护片有效
| 申请号： | 202020070363.3 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN212527324U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 武玄庆;李朝发;朱天 | 申请（专利权）人： | 苏州东福电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/34 | 分类号： | B24B37/34;B24B55/00 |
| 代理公司： | 苏州大智知识产权代理事务所(普通合伙) 32498 | 代理人： | 王军 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 表面 研磨 保护 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆表面研磨保护片，其特征在于：包含基材；所述基材上设置有中间层；所述中间层上设置有表面黏着层；所述基材的厚度为1-1000um；所述中间层为一种热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为50-80℃。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面研磨保护片，其特征在于：所述热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为60-70℃。
3.根据权利要求1所述的半导体晶圆表面研磨保护片，其特征在于：所述热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为65-75℃。
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