[实用新型]一种半导体晶圆表面研磨保护片

说明书

本实用新型公开了一种半导体晶圆表面研磨保护片，包含基材；所述基材上设置有中间层；所述中间层上设置有表面黏着层；所述基材由聚酯类、聚醯胺类材料制成，所述基材的厚度为1‑1000um；所述中间层为一种热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为50‑80℃；所述表面黏着层由丙烯酸类或聚氨酯类聚合物及其共聚物制成；本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护，防止损坏半导体晶圆。

技术领域

本实用新型涉及一种在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护的半导体晶圆表面研磨保护片。

背景技术

在使用半导体晶圆的半导体装置的制造步骤中的研磨非电路形成面的步骤中，为了防止半导体晶圆的电路形成面的损伤，而在半导体晶圆的电路形成面上贴附半导体晶圆保护片。

在半导体晶圆的电路形成面上不仅形成有电路，而且也形成有半导体凹凸块等具有较大的高度差，因此，当贴附半导体晶圆表面保护片时，若半导体晶圆保护片与半导体晶圆的电路形成面的凹凸之间形成间隙，则研磨半导体晶圆的非电路形成面时会在半导体晶圆面内部产生应力分布，半导体晶圆在研磨至较薄的厚度时会变得容易破损；因此，提出有对凹凸的追随性良好的半导体晶圆表面保护片是很迫切的需要。

为此我们研发了一种在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护的半导体晶圆表面研磨保护片。

发明内容

本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护的半导体晶圆表面研磨保护片。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种半导体晶圆表面研磨保护片，包含基材；所述基材上设置有中间层；所述中间层上设置有表面黏着层；所述基材由聚酯类、聚醯胺类材料制成，所述基材的厚度为1-1000um；所述中间层为一种热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为50-80℃；所述表面黏着层由丙烯酸类或聚氨酯类聚合物及其共聚物制成。

优选地，所述热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为60-70℃。

优选地，所述热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为65-75℃。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护，防止损坏半导体晶圆。

附图说明

下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：

图1为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的示意图；

图2为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的应用状态时的放大示意图；

图3为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的试验报告一；

图4为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的试验报告二；

图5为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的我厂-A/我厂-B的中间层的流变仪测试报告图；

图6为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的他牌的中间层的流变仪测试报告图；

图7为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的我厂-C的中间层的流变仪测试报告图；

图8为本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片的我厂-D的中间层的流变仪测试报告图；