[实用新型]板上芯片型光电器件有效
申请号: | 202020077970.2 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN211238244U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 黄剑力;廖彰文 | 申请(专利权)人: | 开发晶照明(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 夏声平 |
地址: | 361101 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 光电 器件 | ||
1.一种板上芯片型光电器件,其特征在于,包括:
散热基层,包括元件安装区域;
第一电极,设置在所述散热基层上;
第二电极,设置在所述散热基层上,且与所述第一电极位于所述散热基层的同一侧,其中所述第一电极和所述第二电极位于所述元件安装区域的相对两侧;
光电元件,位于所述散热基层的所述元件安装区域中、且与所述第一电极和所述第二电极分别电连接;
第一围坝,在所述散热基层上位于所述第一电极和所述第二电极之间且环绕所述元件安装区域,其中所述第一围坝、所述第一电极和所述第二电极在沿远离所述散热基层的方向上高度相同;
第二围坝,在所述第一围坝远离所述散热基层的一侧环绕所述元件安装区域设置、且覆盖所述第一围坝、所述第一电极和所述第二电极;
波长转换层,设置在所述第二围坝的内侧且覆盖所述光电元件。
2.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一围坝包括第一弧形子围坝和第二弧形子围坝,所述第一弧形子围坝的两端分别与所述第一电极和所述第二电极相接,所述第二弧形子围坝的两端分别与所述第一电极和所述第二电极相接;以及所述第一电极、所述第一弧形子围坝、所述第二电极和所述第二弧形子围坝按照所列顺序依次首尾相接以环绕所述元件安装区域。
3.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一围坝在沿远离所述散热基层的方向上的高度取值范围为0.3-0.5毫米。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第二围坝为封闭环状结构,且所述第二围坝与所述第一围坝分两步形成。
5.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括:
BT树脂基覆铜基底,包括焊线区域和非焊线区域;
油墨层,设置在所述BT树脂基覆铜基底上、且覆盖所述非焊线区域;
金属保护层,设置在所述BT树脂基覆铜基底上、且覆盖所述焊线区域;
其中所述散热基层为镜面铝层,所述BT树脂基覆铜基底以胶粘方式贴附于所述镜面铝层。
6.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括:
陶瓷基底;
印刷线路层,设置在所述陶瓷基底上,且包括焊线区域和非焊线区域;
油墨层,设置在所述印刷线路层远离所述陶瓷基底的一侧、且覆盖所述非焊线区域;
金属保护层,设置在所述印刷线路层远离所述陶瓷基底的一侧,且覆盖所述焊线区域;
其中散热基层为镜面铝层,所述陶瓷基底以胶粘方式贴附于所述镜面铝层。
7.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述波长转换层包括基材和混入所述基材的无机荧光粉体。
8.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述光电元件包括至少一个正装发光芯片,且所述至少一个正装发光芯片打线连接所述第一电极和所述第二电极。
9.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述光电元件包括至少一个金属化的陶瓷基底和设置在所述金属化的陶瓷基底上的至少一个倒装发光芯片,所述金属化的陶瓷基底位于所述散热基层的所述元件安装区域中,且所述金属化的陶瓷基底打线连接所述第一电极和所述第二电极。
10.根据权利要求1所述的板上芯片型光电器件,其特征在于,所述第一电极为正电极,所述第二电极为负电极;所述光电元件包括多个发光二极管芯片,且所述多个发光二极管芯片以串联、并联或串并联混合方式电连接所述正电极和所述负电极。
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