[实用新型]板上芯片型光电器件

说明书

本实用新型实施例公开一种板上芯片型光电器件，包括：散热基层，包括元件安装区域；第一电极，设置在散热基层上；第二电极，设置在散热基层上，且与第一电极位于散热基层的同一侧；光电元件，位于散热基层的元件安装区域中、且与第一电极和第二电极分别电连接；第一围坝，设置在散热基层上位于第一电极和第二电极之间且环绕元件安装区域，其中第一围坝、第一电极和第二电极在沿远离散热基层的方向上高度相同；第二围坝，设置在第一围坝远离散热基层的一侧环绕元件安装区域设置、且覆盖第一围坝、第一电极和第二电极；波长转换层，设置在第二围坝的内侧且覆盖光电元件。本实用新型可以降低镜面铝基板的翘曲问题，降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及光电技术领域，尤其涉及一种板上芯片型光电器件。

背景技术

现如今LED光源逐渐向大电流驱动高功率密度和高光通密度、以及具有高性价比的方向发展。目前作为LED封装载体的镜面铝基板，因为具有高反射率和高扩散等优点被COB(Chip on board)封装厂大量使用。

然而，传统的镜面铝基板加工过程中，需要将整板的BT层与整板的镜面铝层通过热压合的模式进行热压合从而形成镜面铝基板，由于每家LED封装规格不同，导致有大量不同规格的镜面铝基板被设计出来，通用性不好，导致封装厂积压库存，同时形成的BT层需要蚀刻掉铜的比例太高，不仅浪费铜资源，且蚀刻溶液还带来环境污染，处理起来比较困难；此外，现有的镜面铝基板由于BT层和镜面铝层是采用整体贴合的方式进行，使得基板的应力比较大，生成过程中会产生比较大的翘曲，导致封装成品良率降低，而且镜面铝基板在分板时采用预切割的方式，分板效率比较低，带来的毛刺和铝屑问题无法解决，且在做刀压的过程中会有挤压现象，挤压后存在镜面损伤变形问题。

实用新型内容

本实用新型提出一种板上芯片型光电器件，以解决上述现有技术的至少部分缺陷和不足。

具体地，本实用新型实施例提出的一种板上芯片型光电器件，包括：散热基层，包括元件安装区域；第一电极，设置在所述散热基层上；第二电极，设置在所述散热基层上，且与所述第一电极位于所述散热基层的同一侧，其中所述第一电极和所述第二电极位于所述元件安装区域的相对两侧；光电元件，位于所述散热基层的所述元件安装区域中、且与所述第一电极和所述第二电极分别电连接；第一围坝，在所述散热基层上位于所述第一电极和所述第二电极之间且环绕所述元件安装区域，其中所述第一围坝、所述第一电极和所述第二电极在沿远离所述散热基层的方向上高度相同；第二围坝，在所述第一围坝远离所述散热基层的一侧环绕所述元件安装区域设置、且覆盖所述第一围坝、所述第一电极和所述第二电极；波长转换层，设置在所述第二围坝的内侧且覆盖所述光电元件。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一围坝包括第一弧形子围坝和第二弧形子围坝，所述第一弧形子围坝的两端分别与所述第一电极和所述第二电极相接，所述第二弧形子围坝的两端分别与所述第一电极和所述第二电极相接；以及所述第一电极、所述第一弧形子围坝、所述第二电极和所述第二弧形子围坝按照所列顺序依次首尾相接以环绕所述元件安装区域。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一围坝在沿远离所述散热基层的方向上的高度取值范围为0.3-0.5毫米。

在本实用新型的一个实施例中，所述第二围坝为封闭环状结构，且所述第二围坝与所述第一围坝分两步形成。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一电极和所述第二电极中的每一者包括：BT树脂基覆铜基底，包括焊线区域和非焊线区域；油墨层，设置在所述BT树脂基覆铜基底上、且覆盖所述非焊线区域；金属保护层，设置在所述BT树脂基覆铜基底上、且覆盖所述焊线区域；其中所述散热基层为镜面铝层，所述BT树脂基覆铜基底以胶粘方式贴附于所述镜面铝层。