[实用新型]金属氧化物半导体场效晶体管

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管包括：

一基材结构，其包含：

一基底层；及

一磊晶层，其形成于所述基底层上，并且所述磊晶层形成有多个沟槽；

其中，多个所述沟槽是沿着一第一方向间隔地凹设于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面，并且任何两个相邻的所述沟槽之间形成有一间距，而多个所述沟槽之间的所述间距是沿着所述第一方向递增；

多个掺杂区域，其分别形成于多个所述沟槽的底部、且朝着所述磊晶层的部分扩散；

一氧化层结构，其包含：

多个沟槽氧化层，其分别形成于多个所述沟槽的内壁上、且分别抵接于多个所述掺杂区域；其中，每个所述沟槽氧化层包围形成有一凹槽；及

一披覆氧化层，其形成于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面上、且延伸地连接于多个所述沟槽氧化层之间；

多个半导体层结构，其分别形成于多个所述凹槽中，以分别与多个所述沟槽氧化层共同形成为多个沟渠式结构；

一介电质层结构，其形成且覆盖于所述氧化层结构及多个所述半导体层结构上；以及

一金属结构，其形成于所述介电质层结构的相反于所述基底层的一侧表面上、且电性连接于多个所述沟渠式结构中的至少其中一个所述沟渠式结构。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；任何两个彼此相邻的所述间距的一增加量是介于5％至25％之间。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；其中，任何两个彼此相邻的所述间距的一差值是介于0.3微米至1.2微米之间。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；其中，N个所述沟槽的所述间距是沿着所述第一方向呈等差级数递增。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，多个所述沟渠式结构的数量对应于多个所述沟槽的数量皆为N个，多个所述间距的数量为N-1个，并且N个所述沟渠式结构是沿着所述第一方向依序定义为第一沟渠式结构至第N沟渠式结构，而N-1个所述间距是沿着所述第一方向依序定义为第一间距至第N-1间距；其中，N为介于7至30之间的正整数。

6.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述金属结构包含有：一个导电部及一个接触塞；其中，所述导电部是形成于所述介电质层结构的相反于所述基底层的一侧表面上，并且所述接触塞是贯穿于所述介电质层结构，以使得所述导电部能通过所述接触塞而电性连接于多个所述沟渠式结构中的其中一个所述沟渠式结构。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述接触塞的数量为两个，两个所述接触塞是分别贯穿地形成于所述介电质层结构、且分别部分地伸入多个所述沟渠式结构中的一第一沟渠式结构的半导体层结构及一第二沟渠式结构的半导体层结构，以使得所述导电部能分别通过两个所述接触塞而电性连接于多个所述沟渠式结构中的所述第一沟渠式结构及所述第二沟渠式结构。

8.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，每个所述沟槽的一沟槽深度是介于4微米至20微米之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效晶体管形成有一空乏区边界，并且所述空乏区边界是自所述磊晶层的顶面延伸至所述磊晶层的底面，以将所述磊晶层区分为一第一区域及一第二区域；其中，所述第一区域及所述第二区域是沿着所述第一方向依序排列，并且多个所述沟渠式结构皆是位于所述空乏区边界的一侧、且是完全地落在所述第一区域的内侧。