[实用新型]金属氧化物半导体场效晶体管

说明书

本实用新型公开一种金属氧化物半导体场效晶体管，其包含基材结构、多个掺杂区域、氧化层结构、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层沿第一方向形成多个沟槽。任两相邻的沟槽间形成一间距。多个沟槽间的间距沿第一方向递增。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。氧化层结构形成于多个沟槽的内壁及磊晶层的表面上。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于氧化层结构上。金属结构形成于介电质层结构上且电性连接于至少其中一个沟渠式结构。借此，金属氧化物半导体场效晶体管具有生产成本低、生产产率高、体积小、及构造简单等产品上的竞争优势。

技术领域

本实用新型涉及一种金属氧化物半导体场效晶体管，特别是涉及一种适合应用于电源供应器的金属氧化物半导体场效晶体管。

背景技术

随着电子技术的进步以及电子产品的小型化趋势，越来越多电子组件利用集成电路制程的方式生产。然而，集成电路型式的电子组件需考虑许多层面，例如：耐高压、相互干扰或抗噪声之类的问题，尤其是应用在电源供应器的电子组件。由于电源供应器需接受高电压的输入，而高电压的输入会导致集成电路型式的电子组件烧毁，进而导致电源供应器的故障，其为造成电源供应器的尺寸无法缩小的主因。

其中，金属氧化物半导体场效晶体管也常应用于电源供应器，由于金属氧化物半导体场效晶体管的操作速度相当快，并且在电压信号处理方面的表现相当优异，因此应用金属氧化物半导体场效晶体管作为转换器使用。应电子产品的小型化趋势，金属氧化物半导体场效晶体管也逐渐向集成电路化的方向发展。然而，当电源供应器承受高电压时，集成电路型式的金氧半场效晶体管同样也会因耐不住高压而烧毁。再者，现有的金属氧化物半导体场效晶体管仍然存在着生产成本过高、生产良率过低、及体积过大等缺失。

于是，本发明人有感上述缺失可改善，乃特潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种金属氧化物半导体场效晶体管。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是，提供一种金属氧化物半导体场效晶体管，其包括：一基材结构，其包含：一基底层；及一磊晶层，其形成于所述基底层上，并且所述磊晶层形成有多个沟槽；其中，多个所述沟槽是沿着一第一方向间隔地凹设于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面，并且任何两个相邻的所述沟槽之间形成有一间距，而多个所述沟槽之间的所述间距是沿着所述第一方向递增；多个掺杂区域，其分别形成于多个所述沟槽的底部、且朝着所述磊晶层的部分扩散；一氧化层结构，其包含：多个沟槽氧化层，其分别形成于多个所述沟槽的内壁上、且分别抵接于多个所述掺杂区域；其中，每个所述沟槽氧化层包围形成有一凹槽；及一披覆氧化层，其形成于所述磊晶层的相反于所述基底层的一侧表面上、且延伸地连接于多个所述沟槽氧化层之间；多个半导体层结构，其分别形成于多个所述凹槽中，以分别与多个所述沟槽氧化层共同形成为多个沟渠式结构；一介电质层结构，其形成且覆盖于所述氧化层结构及多个所述半导体层结构上；以及一金属结构，其形成于所述介电质层结构的相反于所述基底层的一侧表面上、且电性连接于多个所述沟渠式结构中的至少其中一个所述沟渠式结构。

优选地，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；任何两个彼此相邻的所述间距的一增加量是介于5％至25％之间。

优选地，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；其中，任何两个彼此相邻的所述间距的一差值是介于0.3微米至1.2微米之间。

优选地，多个所述沟槽的数量为N个，并且N为大于3的正整数；其中，N个所述沟槽的所述间距是沿着所述第一方向呈等差级数递增。