[实用新型]开闭装置及包括其的基板处理装置有效
申请号: | 202020083038.0 | 申请日: | 2020-01-15 |
公开(公告)号: | CN211654790U | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 韩容基 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开闭 装置 包括 处理 | ||
本实用新型公开一种开闭装置及包括其的基板处理装置。基板处理装置中用于使得基板出入基板处理腔室的基板出入口的开闭装置包括开闭部,开闭部设置在所述出入口及处理腔室之间,以能够紧贴在所述出入口的形式进行旋转操作的同时开闭所述出入口。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体基板的处理装置。
背景技术
一般情况下,蚀刻装置大致分为利用使用湿式溶液的湿式化学品的湿式蚀刻装置和利用等离子体的干式蚀刻装置。这里的干式蚀刻装置是在向两个电极之间投入规定的反应气体的状态下形成电场,通过电场使得反应气体在中性状态下产生反应性极强的被电离的等离子体。这样产生的等离子体作用于成为处理对象的基板上,在基板的表面上进行去除预定的膜的蚀刻工艺。
这种干式蚀刻装置一般包括:处理腔室,其通过等离子体在基板进行预定的工艺处理;搬运腔室,其使得基板出入处理腔室;以及负载锁定腔室,其用于保管基板。
另外,在干式蚀刻装置中,在处理腔室的一侧形成有用于基板出入的出入口。出入口是基板进入处理腔室内部或向外部搬出的通道。
但是,处理腔室内部需要与外部隔离和密封,以便保持等离子体的产生及工艺氛围。
以往的干式蚀刻装置为了开闭出入口而配备有闸门阀,并在处理腔室的外部设置有闸门阀。但由于闸门阀在处理腔室的外部开闭出入口,因此当闸门阀被关闭时,在闸门阀和处理腔室之间形成预定体积的空间。即,形成出入口的部分与其它部分相比体积变得更大。由此,在处理腔室的内部产生等离子体时,因这些空间导致等离子体密度不均匀,而且基板无法被处理均匀。
前述的作为背景技术所说明的内容是发明者在本实用新型的提出过程中获得或掌握的,故不一定将其认定为在申请本实用新型之前已经公开于众的公知技术。
实用新型内容
实施例的目的是,提供一种设置有开闭部的基板处理装置,开闭部容易开闭且有效地保持基板处理装置的密封。
在实施例中要解决的课题不受限于所述提及的课题,对于尚未提及的另外其它课题,本领域技术人员可以根据如下记载得到清楚的理解。
根据用于实现所述本实用新型目的的本实用新型的实施例,基板处理装置中用于使得基板出入基板处理腔室的基板出入口的开闭装置包括开闭部,开闭部设置在所述出入口及处理腔室之间,以能够紧贴在所述出入口的形式进行旋转操作的同时开闭所述出入口。
此外,根据用于实现所述本实用新型目的的本实用新型的实施例,基板处理装置包括:腔室壳体,其包括用于处理基板的处理腔室,一侧形成有用于基板出入的出入口;开闭部,其以位于所述处理腔室及出入口之间的形式设置在间隔壳体内部,旋转操作的同时选择性地开闭所述出入口;以及驱动部,其与所述开闭部相连接,使得所述开闭部旋转。
如上所述,根据本实施例,门构件在壳体的内部开闭出入口,从而避免处理腔室内部空间的不均匀及由此导致等离子体密度的不均匀,进而可以均匀地处理基板。
而且,在门构件设置有密封构件,因而可以提升对出入的密封效果。
而且,因为两个门构件相互重叠地开闭出入口,所以可以提升出入口及处理腔室的密封效果。
根据一个实施例的基板处理装置的效果,不受限于所述提及的内容,对于尚未提及的其它效果,普通的技术人员可以通过如下记载得到清楚的理解。
附图说明
本说明书中的如下附图示例性地图示了本实用新型的优选的一个实施例,与本实用新型的详细说明一起,用于进一步理解本实用新型的技术思想,因此,本实用新型不应解释为仅限于这些图中记载的事项。
图1是根据一个实施例的基板处理装置的立体图。
图2是根据一个实施例的开闭装置的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造