[实用新型]集成部件有效
申请号: | 202020139175.1 | 申请日: | 2020-01-21 |
公开(公告)号: | CN212084950U | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | L·塞吉齐;L·蒙塔格纳;G·维萨利;M·阿兹佩蒂亚·尤尔奎亚 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 部件 | ||
1.一种集成部件,其特征在于,包括:
半导体材料的第一晶片,所述第一晶片具有表面;以及
半导体材料的第二晶片,所述第二晶片包括衬底和在所述衬底上的结构层,所述结构层集成了用于检测电磁辐射的检测器设备;
其中所述第二晶片的所述结构层被耦合到所述第一晶片的所述表面;以及
微镜的定子、转子和移动质量块被集成在所述第二晶片的所述衬底中,所述定子和所述转子形成用于电容性地驱动所述移动质量块的电容性驱动组件。
2.根据权利要求1所述的集成部件,其特征在于,还包括:第一盖,被耦合到在所述检测器设备处的所述衬底,以及
其中所述结构层和所述第一盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述检测器设备的第一气密腔室。
3.根据权利要求2所述的集成部件,其特征在于,还包括:第二盖,被耦合到在所述微镜处的所述衬底,以及
其中所述结构层和所述第二盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述微镜的第二气密腔室。
4.根据权利要求2所述的集成部件,其特征在于,还包括:
定子接触,被电耦合到所述微镜的所述定子;
转子接触,被电耦合到所述微镜的所述转子;以及
第三晶片,被耦合到所述衬底,并且被成形以便形成所述第一盖、在所述转子接触处的第一贯通开口、以及在所述定子接触处的第二贯通开口。
5.根据权利要求4所述的集成部件,其特征在于,还包括:第二盖,被耦合到在所述微镜处的所述衬底,以及
其中所述结构层和所述第二盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述微镜的第二气密腔室。
6.根据权利要求5所述的集成部件,其特征在于,所述第三晶片被成形以便形成所述第一盖、所述第二盖、所述第一贯通开口、以及所述第二贯通开口。
7.根据权利要求5所述的集成部件,其特征在于,所述第一盖和所述第二盖由玻璃制成。
8.根据权利要求1所述的集成部件,其特征在于,还包括:
第一耦合环,在所述结构层上延伸,并且包围所述检测器设备,所述第一耦合环由第一材料制成;以及
第二耦合环,在所述第一晶片的所述表面上延伸,所述第二耦合环由第二材料制成;
其中所述第一耦合环和所述第二耦合环相互接触,以及其中所述第一材料和所述第二材料形成共晶键合。
9.根据权利要求1所述的集成部件,其特征在于,还包括:第一盖,被耦合到在所述检测器设备处的所述衬底;
其中所述结构层和所述第一盖分别被耦合到所述表面和所述衬底,以便限定容纳所述检测器设备的第一气密腔室;
在所述盖中的凹部,所述凹部在所述气密腔室内;以及
在所述凹部中的吸气剂层。
10.根据权利要求1所述的集成部件,其特征在于,还包括:
第一沟槽,从所述表面开始在所述第一晶片中延伸,所述第一沟槽面向所述定子、所述转子和所述移动质量块,其中所述第一沟槽具有减少的反射率;以及
第二沟槽,从所述表面开始在所述第一晶片中延伸,所述第二沟槽面向所述检测器设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造